| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展动态 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的任务及内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章 SiC 氧化的物理基础 | 第14-26页 |
| 2.1 二氧化硅薄膜 | 第14-18页 |
| 2.1.1 二氧化硅的基本性质 | 第14-15页 |
| 2.1.2 碳化硅上二氧化硅薄膜的界面特性 | 第15-16页 |
| 2.1.3 二氧化硅的结构 | 第16-17页 |
| 2.1.4 二氧化硅在 IC 中的主要用途 | 第17-18页 |
| 2.2 热氧化 | 第18-22页 |
| 2.2.1 影响热氧化的条件 | 第19页 |
| 2.2.2 氧化模型 | 第19-22页 |
| 2.3 SiC 氧化动力学 | 第22-23页 |
| 2.4 阿伦尼乌斯公式 | 第23-26页 |
| 第三章 热氧化实验设计及测试 | 第26-34页 |
| 3.1 样品制备 | 第26页 |
| 3.2 热氧化实验方案及步骤 | 第26-29页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第26-27页 |
| 3.2.2 工艺流程 | 第27-29页 |
| 3.3 实验测试 | 第29-34页 |
| 3.3.1 薄膜厚度测试—椭偏仪（SE） | 第29-30页 |
| 3.3.2 掺杂浓度测试——二次离子质谱（SIMS） | 第30-31页 |
| 3.3.3 薄膜质量测试—CV | 第31-34页 |
| 第四章 实验结果及分析 | 第34-48页 |
| 4.1 氧化薄膜生长与时间的关系 | 第34-35页 |
| 4.2 线性速率和抛物线速率的提取 | 第35-39页 |
| 4.3 指前因子（A）和表观活化能（Ea）的提取 | 第39-41页 |
| 4.4 含有掺杂因子的修正 D-G 模型 | 第41-43页 |
| 4.5 影响 SiC 氧化速率的主要因素的探讨 | 第43-48页 |
| 第五章 结束语 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 研究成果 | 第56-57页 |