| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 ZnO材料的性质 | 第13-16页 |
| 1.2.1 ZnO材料的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 ZnO材料的电学特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 ZnO材料的缺陷 | 第15-16页 |
| 1.3 ZnO材料的应用 | 第16-19页 |
| 1.3.1 ZnO压敏陶瓷 | 第16-17页 |
| 1.3.2 太阳能电池 | 第17-18页 |
| 1.3.3 光探测器 | 第18页 |
| 1.3.4 发光器件 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的研究内容与意义 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方法 | 第21-30页 |
| 2.1 超细粉末制备方法 | 第21页 |
| 2.2 陶瓷靶材制备方法 | 第21页 |
| 2.3 薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.4 表征方法 | 第23-28页 |
| 2.4.1 X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第23-25页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.4.3 电子顺磁共振(EPR) | 第25-27页 |
| 2.4.4 光致发光(PL)光谱 | 第27-28页 |
| 2.4.5 紫外可见分光光度计 | 第28页 |
| 2.5 实验药品及实验仪器 | 第28-30页 |
| 第三章 ZnO超细颗粒的光电性能 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验结果 | 第30-37页 |
| 3.2.1 XRD和SEM分析 | 第30-33页 |
| 3.2.2 PL分析 | 第33-35页 |
| 3.2.3 EPR分析 | 第35-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 ZnO薄膜的制备及表征 | 第38-56页 |
| 4.1 常压烧结法烧结ZnO陶瓷靶材的制备及表征 | 第38-46页 |
| 4.1.1 研究现状 | 第38-39页 |
| 4.1.2 ZnO陶瓷靶材的制备流程 | 第39-40页 |
| 4.1.3 ZnO靶材的烧结工艺 | 第40-43页 |
| 4.1.4 ZnO靶材的XRD分析 | 第43-44页 |
| 4.1.5 ZnO靶材SEM分析 | 第44-46页 |
| 4.2 ZnO薄膜的制备及表征 | 第46-54页 |
| 4.2.1 工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.2.2 衬底温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第47-50页 |
| 4.2.3 溅射功率对ZnO薄膜性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.4 膜厚对ZnO薄膜性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 ZnO薄膜异质结的电性能研究 | 第56-64页 |
| 5.1 引言 | 第56-57页 |
| 5.2 射频磁控溅射法制备p-Si/n-ZnO和p-Si/SiO_2/n-ZnO异质结 | 第57-59页 |
| 5.2.1 p-Si/n-ZnO和p-Si/SiO_2/n-ZnO异质结的结构图 | 第57-58页 |
| 5.2.2 p-Si/n-ZnO和p-Si/SiO_2/n-ZnO异质结的晶体结构 | 第58-59页 |
| 5.2.3 p-Si/n-ZnO和p-Si/SiO_2/n-ZnO异质结的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第59页 |
| 5.3 射频磁控溅射法制备p-NiO/n-ZnO和p-NiO/Zn_(0.85)Mg_(0.15)O/n-ZnO异质结 | 第59-62页 |
| 5.3.1 p-NiO/n-ZnO和p-NiO/Zn_(0.85)Mg_(0.15)O/n-ZnO异质结的结构 | 第59-60页 |
| 5.3.2 p-NiO/n-ZnO和p-NiO/Zn_(0.85)Mg_(0.15)O/n-ZnO异质结的晶体结构 | 第60-61页 |
| 5.3.3 p-NiO/n-ZnO和p-NiO/Zn_(0.85)Mg_(0.15)O/n-ZnO异质结的Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第61-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-67页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第75页 |
