H2S钝化对SiC表面的影响
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 表面态钝化技术研究进展 | 第8-10页 |
| 1.2 第一性原理的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 本课题的研究目的和研究内容 | 第11-14页 |
| 2 计算方法 | 第14-20页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第14-17页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第15页 |
| 2.1.3 交换关联泛函 | 第15-16页 |
| 2.1.4 平面波展开与截断能 | 第16-17页 |
| 2.2 赝势 | 第17页 |
| 2.3 超胞理论 | 第17-18页 |
| 2.4 材料计算流程 | 第18-20页 |
| 3 6H-SiC特性分析 | 第20-28页 |
| 3.1 6H-SiC体结构 | 第20页 |
| 3.2 收敛性测试 | 第20-22页 |
| 3.2.1 交换关联能 | 第20-21页 |
| 3.2.2 平面波展开截断能 | 第21-22页 |
| 3.2.3 K点网格 | 第22页 |
| 3.3 体结构性质分析 | 第22-23页 |
| 3.4 表面结构的建立 | 第23-27页 |
| 3.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 4 表面钝化分析 | 第28-48页 |
| 4.1 硅面 2*2 结构 | 第29-33页 |
| 4.1.1 吸附能 | 第29-30页 |
| 4.1.2 态密度 | 第30-32页 |
| 4.1.3 布居分析 | 第32-33页 |
| 4.1.4 过渡态 | 第33页 |
| 4.2 碳面 2*2 结构 | 第33-38页 |
| 4.2.1 吸附能 | 第33-34页 |
| 4.2.2 态密度 | 第34-36页 |
| 4.2.3 布居分析 | 第36-37页 |
| 4.2.4 过渡态 | 第37-38页 |
| 4.3 硅面 3*3 结构 | 第38-41页 |
| 4.3.1 吸附能 | 第38页 |
| 4.3.2 态密度 | 第38-40页 |
| 4.3.3 布居分析 | 第40-41页 |
| 4.4 碳面 3*3 结构 | 第41-43页 |
| 4.4.1 吸附能 | 第41页 |
| 4.4.2 态密度 | 第41-43页 |
| 4.4.3 布居分析 | 第43页 |
| 4.5 钝化效果对比 | 第43-46页 |
| 4.5.1 Si面和C面H_2S钝化效果对比 | 第44页 |
| 4.5.2 H_2S和S钝化效果对比 | 第44-46页 |
| 4.5.3 表面大小对钝化影响 | 第46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 5 表面重构 | 第48-54页 |
| 5.1 重构模型 | 第48-49页 |
| 5.2 钝化对重构的影响 | 第49-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 论文总结 | 第54页 |
| 6.2 课题展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 在校期间发表的论文 | 第62页 |
