SiC表面S钝化的工艺探索和研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第8-11页 |
| 1.2.1 SiC表面处理方法 | 第8-10页 |
| 1.2.2 钝化对SiC表面影响 | 第10页 |
| 1.2.3 S钝化处理方法 | 第10-11页 |
| 1.3 本课题研究内容 | 第11-12页 |
| 2 SiC表面S钝化原理及钝化表征方法 | 第12-22页 |
| 2.1 Valence-mending概念 | 第12页 |
| 2.2 金半接触理论 | 第12-14页 |
| 2.3 钝化的表征方法 | 第14-21页 |
| 2.3.1 电子输运机制分析 | 第14-17页 |
| 2.3.2 I-V法测试及提取肖特基势垒高度 | 第17-20页 |
| 2.3.3 XPS分析方法 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 S钝化SiC表面研究 | 第22-34页 |
| 3.1 SiC表面清洗及氧化 | 第22-24页 |
| 3.2 金属电极制作 | 第24-25页 |
| 3.3 S钝化SiC表面的工艺参数研究 | 第25-29页 |
| 3.3.1 S钝化Si面参数研究 | 第25-27页 |
| 3.3.2 S钝化C面参数研究 | 第27-29页 |
| 3.4 钝化效果分析 | 第29-33页 |
| 3.4.1 XPS分析Si面的钝化效果 | 第29-31页 |
| 3.4.2 反向饱和电流分析钝化效果 | 第31-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 势垒高度提取及钝化机理分析 | 第34-42页 |
| 4.1 S钝化前后的势垒高度 | 第34-36页 |
| 4.2 钝化机理研究 | 第36-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 5 总结 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 在校期间发表论文 | 第50页 |
