| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 金属半导体结的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 自旋电子学与稀磁半导体的研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.3 低维纳米材料和本文研究材料介绍 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 理论基础 | 第14-24页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第14-22页 |
| 2.1.1 绝热近似和哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第14-17页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第19-20页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第20-22页 |
| 2.1.6 自洽计算 | 第22页 |
| 2.1.7 结构优化 | 第22页 |
| 2.2 VASP程序包介绍 | 第22-24页 |
| 第三章 SnSe/过渡金属界面的电子结构 | 第24-32页 |
| 3.1 研究背景 | 第24页 |
| 3.2 理论模型和方法 | 第24-25页 |
| 3.3 结果讨论 | 第25-30页 |
| 3.3.1 体材料SnSe和单层SnSe的晶格常数和电子结构 | 第25-26页 |
| 3.3.2 M/SnSe结的几何结构和电子结构 | 第26-29页 |
| 3.3.3 M/SnSe结的接触类型和CIP结构的掺杂类型 | 第29-30页 |
| 3.4 结论 | 第30-32页 |
| 第四章 过渡金属掺杂双层SnSe的电子结构和磁学性质 | 第32-40页 |
| 4.1 研究背景 | 第32页 |
| 4.2 理论模型和方法 | 第32-33页 |
| 4.3 结果讨论 | 第33-38页 |
| 4.3.1 过渡金属掺杂双层SnSe的几何结构和磁矩分布 | 第33-35页 |
| 4.3.2 过渡金属掺入双层SnSe后磁矩变化机制 | 第35-38页 |
| 4.3.3 过渡金属掺杂双层SnSe的电子结构 | 第38页 |
| 4.4 结论 | 第38-40页 |
| 第五章 过渡金属掺杂单层SnSe的电子结构和磁学性质 | 第40-54页 |
| 5.1 研究背景 | 第40页 |
| 5.2 理论模型和方法 | 第40-41页 |
| 5.3 结果讨论 | 第41-52页 |
| 5.3.1 过渡金属原子掺杂单层SnSe的几何结构及稳定性 | 第41-42页 |
| 5.3.3 过渡金属原子与Se原子的相互作用 | 第42-44页 |
| 5.3.4 过渡金属原子掺杂单层SnSe体系的电子结构 | 第44-46页 |
| 5.3.5 两个过渡金属原子掺杂单层SnSe体系的几何结构和磁矩 | 第46-48页 |
| 5.3.6 两个过渡金属原子掺杂单层SnSe体系的磁耦合机制 | 第48-52页 |
| 5.4 结论 | 第52-54页 |
| 第六章 总结及展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第68-69页 |
