致谢 | 第1-5页 |
前言 | 第5-7页 |
摘要 | 第7-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
目次 | 第10-12页 |
第一章 文献综述 | 第12-32页 |
·ZnO的结构与性能 | 第12-15页 |
·ZnO的基本性质 | 第12页 |
·ZnO的结构 | 第12-14页 |
·ZnO的光电性质 | 第14页 |
·ZnO的压电性质 | 第14-15页 |
·ZnO的铁磁性 | 第15页 |
·ZnO的缺陷与掺杂 | 第15-29页 |
·ZnO中的本征缺陷 | 第15-17页 |
·ZnO中的非故意掺杂 | 第17-18页 |
·ZnO中的n型掺杂 | 第18页 |
·ZnO中的p型掺杂 | 第18-29页 |
·ZnO薄膜的制备方法 | 第29-31页 |
·磁控溅射技术 | 第29页 |
·脉冲激光沉积技术 | 第29-30页 |
·金属有机化学气相沉积 | 第30页 |
·分子束外延技术 | 第30-31页 |
·立题思路及研究内容 | 第31-32页 |
第二章 实验设备、实验过程及性能表征 | 第32-38页 |
·射频反应磁控溅射实验设备 | 第32-33页 |
·射频磁控溅射技术原理 | 第33-34页 |
·实验过程 | 第34-36页 |
·靶材制备 | 第34-35页 |
·衬底及其清洗 | 第35-36页 |
·薄膜的制备过程 | 第36页 |
·薄膜性能表征 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第三章 Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜 | 第38-68页 |
·退火对ZnO:(Na,N)薄膜性能的影响 | 第38-42页 |
·不同退火温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的电学性能 | 第39页 |
·不同退火温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的XRD分析 | 第39-41页 |
·不同退火温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的表面形貌 | 第41-42页 |
·不同退火温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的光学性能分析 | 第42页 |
·靶材中Na含量对ZnO:(Na,N)薄膜性能的影响 | 第42-47页 |
·ZnO薄膜的电学性能分析 | 第43页 |
·ZnO薄膜的XRD分析 | 第43-44页 |
·ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第44-45页 |
·ZnO薄膜的光学性能分析 | 第45-47页 |
·Ar/N_2O流量比对ZnO:(Na,N)薄膜性能的影响 | 第47-51页 |
·不同Ar/N_2O流量比下的ZnO:(Na,N)薄膜的电学性能分析 | 第47-48页 |
·不同Ar/N_2O流量比下的ZnO:(Na,N)薄膜的XRD分析 | 第48-49页 |
·不同Ar/N_2O流量比下的ZnO:(Na,N)薄膜的表面形貌 | 第49-50页 |
·不同Ar/N_2O流量比下的ZnO:(Na,N)薄膜的光学性能分析 | 第50-51页 |
·生长压强对ZnO:(Na,N)薄膜性能的影响 | 第51-53页 |
·不同生长压强下的ZnO:(Na,N)薄膜的电学性能分析 | 第51页 |
·不同生长压强下的ZnO:(Na,N)薄膜的XRD分析 | 第51-52页 |
·不同生长压强下的ZnO:(Na,N)薄膜的表面形貌 | 第52页 |
·不同生长压强下的ZnO:(Na,N)薄膜的光学性能分析 | 第52-53页 |
·衬底温度对ZnO:(Na,N)薄膜性能的影响 | 第53-57页 |
·不同衬底温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的电学性能分析 | 第53-54页 |
·不同衬底温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的XRD分析 | 第54-56页 |
·不同衬底温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的表面形貌 | 第56页 |
·不同衬底温度下的ZnO:(Na,N)薄膜的光学性能分析 | 第56-57页 |
·Na-N共掺ZnO同质p-n结的制备 | 第57-58页 |
·Na-N共掺ZnO薄膜的机理分析 | 第58-68页 |
·ZnO:N、ZnO:Na、ZnO:(Na,N)薄膜的电学性能分析 | 第59-60页 |
·ZnO:N、ZnO:Na、ZnO:(Na,N)薄膜的XRD分析 | 第60页 |
·ZnO:N、ZnO:Na、ZnO:(Na,N)薄膜的表面形貌分析 | 第60-61页 |
·ZnO:N、ZnO:Na、ZnO:(Na,N)薄膜的光学性能分析 | 第61页 |
·ZnO:N、ZnO:Na、ZnO:(Na,N)薄膜的XPS分析 | 第61-68页 |
第四章 结论 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-82页 |
附录:作者简介及硕士期间发表或录用的论文及专利 | 第82页 |