| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 ZnO的能带结构和基本性质 | 第9-18页 |
| 1．1 ZnO的能带结构 | 第9页 |
| 1．2 ZnO的基本性质及其研究进展情况 | 第9-10页 |
| 1．3 ZnO的掺杂情况介绍 | 第10-11页 |
| 1．4 p型ZnO的激光MBE(Molecular Beam Epitaxy)和MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)生长方法 | 第11-12页 |
| 1．5 p-ZnO的理论研究 | 第12-14页 |
| 1．6 P型ZnO的实验研究及器件制备情况 | 第14-18页 |
| 2 ZnO薄膜材料MOCVD生长设备的设计 | 第18-24页 |
| 2．1 MOCVD技术简介 | 第18-22页 |
| 2．2 MOCVD技术生长ZnO薄膜 | 第22-24页 |
| 3 高质量的ZnO薄膜制备与表征 | 第24-33页 |
| 3．1 Si衬底的ZnO薄膜制备与表征 | 第24-29页 |
| 3．1．1 Si衬底的ZnO薄膜制备 | 第24-25页 |
| 3．1．2 Si衬底的ZnO薄膜表征 | 第25-29页 |
| 3．2 Al2O3衬底的ZnO薄膜制备与表征 | 第29-33页 |
| 3．2．1 Al2O3衬底的ZnO薄膜制备 | 第29页 |
| 3．2．2 Al2O3衬底的ZnO薄膜表征 | 第29-33页 |
| 4 ZnO薄膜的掺杂研究 | 第33-39页 |
| 4．1 Si衬底上的ZnO薄膜掺杂研究 | 第33-36页 |
| 4．2 Al2O3衬底上的ZnO薄膜掺杂研究 | 第36-39页 |
| 5 ZnO薄膜的LED器件制备 | 第39-45页 |
| 5．1 喷涂热解方法介绍 | 第39-42页 |
| 5．2 喷涂热解法ZnO材料与发光二极管制备 | 第42-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第53页 |