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低热导率碲化物热电材料的制备及性能优化

致谢第1-8页
摘要第8-10页
Abstract第10-14页
1 热电学基础第14-50页
   ·热电学基本理论第15-29页
     ·热电学研究历史第15-17页
     ·热电学研究历史第17-19页
     ·热电器件及其实际应用第19-22页
     ·热电材料的输运性能第22-29页
   ·热电材料的研究进展第29-45页
     ·传统热电材料第29-35页
     ·新型块体热电材料第35-41页
     ·优化热电性能的主要方法第41-45页
   ·低热导率热电材料的研究进展第45-48页
     ·含T1化合物第45页
     ·AgSbTe_2和AgSbSe_2第45-47页
     ·Ag_8XTe_6(X=Si,Ge,Sn)第47-48页
     ·其他低热导率热电材料第48页
   ·本文主要研究内容和思路第48-50页
2 实验方法第50-58页
   ·实验原料及仪器第50页
     ·原料第50页
     ·仪器第50页
   ·材料的制备第50-51页
     ·快速冷却制备大块非晶第50-51页
     ·熔炼热压法制备TAGS-85、AgSbTe_2和Ag_8GeTe_6块体第51页
   ·材料物相表征及物理性能测量第51-58页
     ·物相结构分析第51-52页
     ·Rietveld晶体结构拟合第52页
     ·材料微观形貌和成分分析第52页
     ·X射线能谱仪成分分析第52页
     ·差示扫描量热法第52-53页
     ·高温电输运性能测量第53-54页
     ·高温热导率测量第54页
     ·低温电输运性能测量第54-55页
     ·低温热输运性能测量第55-56页
     ·霍尔性能测量第56-57页
     ·低温比热测量第57-58页
3 非晶碲化物晶化动力学及低温热输运理论第58-74页
   ·碲化物非晶材料的制备及表征第59-61页
     ·SiTe基非晶的制备及表征第59-60页
     ·Se掺杂GeTe基非晶的制备及表征第60-61页
   ·SiTe基非晶的制备及晶化动力学研究第61-66页
     ·Ozawa和Kissinger方程第62-64页
     ·vrami方程第64-65页
     ·Augis和Bennett方程第65-66页
   ·Se掺杂GeTe基非晶材料的低温热传输理论第66-72页
     ·Se掺杂大块GeTe非晶的热稳定性第67-68页
     ·比热的测量及爱因斯坦振动模式第68-69页
     ·低温热导率的测量第69-71页
     ·声子平均自由程第71-72页
   ·本章小结第72-74页
4 AgSbTe_2基材料的性能优化第74-114页
   ·Ag_2Te/Sb_2Te_3比对材料热电性能的影响第74-98页
     ·富Sb_2Te_3的AgSbTe_2微观形貌及热电性能第75-83页
     ·富Ag_2Te的AgSbTe_2微观形貌及热电性能第83-90页
     ·Ag_2Te/AgSbTe_2复合材料的电输运性能分析第90-94页
     ·AgSbTe_2基材料的高分辨透射电镜观察第94-98页
   ·掺杂对AgSbTe_2性能的影响第98-103页
   ·制备工艺对AgSbTe_2基材料的成分及性能影响第103-111页
     ·不同熔炼方法和烧结方法对热电性能的影响第103-107页
     ·烧结密度对材料热电性能的影响第107-109页
     ·退火对材料热电性能的影响第109-111页
   ·本章小结第111-114页
5 TAGS基材料的制备方法优化第114-126页
   ·球磨气氛对TAGS-85性能的影响第115-125页
     ·不同球磨保护气氛下粉末的尺寸及表面形态第115-117页
     ·不同球磨保护气氛下材料的传输性能第117-125页
   ·本章小结第125-126页
6 Ag_8GeTe_6基材料的性能优化第126-142页
   ·掺杂对Ag_8GeTe_6基材料的性能优化第126-135页
     ·Ag空位对Ag_8GeTe_6基材料第127-131页
     ·Al掺杂对Ag_8GeTe_6基材料的性能优化第131-135页
   ·固溶对热电性能的影响第135-141页
     ·Ag_8SiTe_6/Ag_8GeTe_6基固溶材料的性能第135-138页
     ·PbTe/Ag_8GeTe_6基固溶体的性能第138-141页
   ·本章小结第141-142页
7 结论与展望第142-144页
参考文献第144-156页
附录Ⅰ.博士生学习期间完成的论文与专利第156-158页

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