| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-33页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·碳化硅的结构、性质及应用 | 第15-19页 |
| ·SiC的结构 | 第15-16页 |
| ·SiC的物理和化学性质 | 第16-18页 |
| ·SiC材料的应用 | 第18-19页 |
| ·SiC薄膜的制备 | 第19-24页 |
| ·SiC薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
| ·SiC薄膜的生长研究进展 | 第22-24页 |
| ·石墨烯的结构、性质、应用和制备 | 第24-29页 |
| ·石墨烯的结构 | 第24-26页 |
| ·石墨烯的性质 | 第26-27页 |
| ·石墨烯的应用前景 | 第27-28页 |
| ·石墨烯的主要制备方法 | 第28-29页 |
| ·本论文的选题 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 分子束外延技术、设备及应用 | 第33-53页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·分子束外延技术与设备简介 | 第33-41页 |
| ·分子束外延设备的基本结构 | 第33-34页 |
| ·RHEED原理和应用 | 第34-41页 |
| ·分子束外延的物理过程 | 第41-45页 |
| ·分子束外延技术的应用 | 第45-47页 |
| ·SSMBE设备 | 第47-50页 |
| ·高温样品架 | 第48-49页 |
| ·电子束蒸发器 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第三章 Si衬底上异质外延SiC薄膜 | 第53-81页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·碳化温度和衬底温度对外延SiC薄膜的影响 | 第53-56页 |
| ·样品制备和实验过程 | 第53-54页 |
| ·碳化温度对外延SiC薄膜的影响 | 第54-56页 |
| ·衬底温度对外延SiC薄膜的影响 | 第56页 |
| ·小结 | 第56页 |
| ·硅碳比对外延SiC薄膜的影响 | 第56-61页 |
| ·样品的制备和实验过程 | 第57页 |
| ·结果和讨论 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61页 |
| ·预沉积Ge对外延SiC薄膜的影响 | 第61-77页 |
| ·预沉积Ge的影响 | 第61-66页 |
| ·预沉积Ge的厚度对外延SiC薄膜的影响 | 第66-72页 |
| ·预沉积Ge的温度对外延SiC薄膜的影响 | 第72-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第四章 蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的生长和结构表征 | 第81-99页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·蓝宝石的结构和性质 | 第81-82页 |
| ·蓝宝石上SiC单晶薄膜的制备及表征 | 第82-86页 |
| ·样品的制备和实验过程 | 第82-83页 |
| ·实验结果和讨论 | 第83-86页 |
| ·衬底温度对Al_2O_3(0001)表面异质外延6H-SiC薄膜的影响 | 第86-91页 |
| ·样品制备和实验过程 | 第86-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| ·SiC/Al_2O_3的X射线掠入射衍射研究 | 第91-97页 |
| ·GID的原理和实验简介 | 第91-93页 |
| ·GID对表面下不同深度的外延膜应变的研究 | 第93-95页 |
| ·GID对SiC/Al_3O_3薄膜不同深度结晶质量的研究 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-99页 |
| 第五章 SiC的同质外延及同质异构量子阱薄膜的制备 | 第99-114页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·6H-SiC(0001)面的表面重构 | 第99-103页 |
| ·样品制备及RHEED结果 | 第99-101页 |
| ·6H-SiC表面重构的原子结构模型 | 第101-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| ·6H-SiC/6H-SiC薄膜的外延 | 第103-105页 |
| ·样品制备过程 | 第103页 |
| ·结果和讨论 | 第103-105页 |
| ·小结 | 第105页 |
| ·3C-SiC/6H-SiC薄膜的外延生长 | 第105-108页 |
| ·样品制备过程 | 第105页 |
| ·结果和讨论 | 第105-108页 |
| ·小结 | 第108页 |
| ·6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC多量子阱薄膜的外延 | 第108-112页 |
| ·样品的实验过程 | 第108-109页 |
| ·结果和讨论 | 第109-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-114页 |
| 第六章 6H-SiC表面石墨烯外延生长和结构表征 | 第114-126页 |
| ·引言 | 第114-115页 |
| ·石墨烯的外延和结构表征 | 第115-119页 |
| ·样品制备过程 | 第115页 |
| ·实验结果和讨论 | 第115-119页 |
| ·小结 | 第119页 |
| ·退火时间对6H-SiC(0001)外延石墨烯形貌和结构的影响 | 第119-124页 |
| ·样品制备过程 | 第119页 |
| ·实验结果和讨论 | 第119-124页 |
| ·小结 | 第124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 硕博连读期间所发表的论文 | 第128-129页 |
