| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·课题目的和意义 | 第8-9页 |
| ·研究状况和进展 | 第9-10页 |
| ·理论进展 | 第9页 |
| ·试验进展 | 第9-10页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体 p 型掺杂的关键技术 | 第10-11页 |
| ·本论文的框架结构 | 第11-12页 |
| 2 ZnO 基 DMS 磁性能的理论计算 | 第12-27页 |
| ·基于 Materials Studio 计算软件的第一原理计算 | 第12-20页 |
| ·Materials Studio 材料性能计算软件简介 | 第12页 |
| ·用Materials Studio 计算软件进行计算的设计思路 | 第12-13页 |
| ·用Materials Studio 计算软件所得结果及分析 | 第13-20页 |
| ·反铁磁性交换作用对DMS 居里温度的影响 | 第20-25页 |
| ·理论模型 | 第20-21页 |
| ·理论推导 | 第21-24页 |
| ·计算结果分析 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| ·基于Materials Studio 计算软件的第一原理计算所得到的结论 | 第25-26页 |
| ·反铁磁性交换作用对DMS 居里温度的影响计算所得到的结论 | 第26-27页 |
| 3 ZnO 基稀磁半导体体材的研制及性能分析 | 第27-40页 |
| ·体材的制备方案 | 第27页 |
| ·体材的制备工艺 | 第27-29页 |
| ·本课题所用到的分析测试方法 | 第29-31页 |
| ·各样品的晶相分析 | 第31-32页 |
| ·晶胞常数的计算及各因素参数对晶胞常数的影响 | 第32-34页 |
| ·所掺杂元素质量百分比及原子百分比含量的EDS 分析 | 第34页 |
| ·所做体材的SEM 分析 | 第34-35页 |
| ·样品的磁性能测量 | 第35-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 4 ZnO 基稀磁半导体薄膜的研制及性能分析 | 第40-46页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第40页 |
| ·薄膜的制备方案 | 第40-41页 |
| ·各样品的晶相分析 | 第41-43页 |
| ·各样品的XPS 分析 | 第43-45页 |
| ·各样品的晶面间距分析 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 5 结论与展望 | 第46-47页 |
| ·理论方面所得结论 | 第46页 |
| ·实验方面所得结论 | 第46页 |
| ·实验的下一步展望 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |
