| 提要 | 第1-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-31页 |
| ·ZnO 材料与器件研究的发展历史及现状 | 第9-14页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第14-18页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第18-20页 |
| ·ZnO 薄膜的生长方法 | 第20-23页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 本章参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 等离子体辅助MOCVD设备及常用薄膜表征手段 | 第31-47页 |
| ·MOCVD 介绍 | 第31-35页 |
| ·MOCVD生长ZnO薄膜反应源的选择 | 第35-36页 |
| ·专门用于ZnO 薄膜生长的等离子体辅助MOCVD 系统 | 第36-40页 |
| ·薄膜样品的表征方法 | 第40-46页 |
| 本章参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上ZnO薄膜的生长及掺杂研究 | 第47-83页 |
| ·样品制备的基本过程 | 第48-49页 |
| ·不同温度下c 面蓝宝石衬底上 ZnO 薄膜的生长及特性分析 | 第49-59页 |
| ·ZnO 薄膜的生长温度对晶体质量的影响 | 第50-51页 |
| ·ZnO 薄膜的生长温度对表面形貌的影响 | 第51-55页 |
| ·ZnO 薄膜的生长温度对光学性质的影响 | 第55-59页 |
| ·不同O_2流量下c 面蓝宝石衬底上ZnO 薄膜的生长及特性分析 | 第59-63页 |
| ·O_2流量对ZnO 晶体质量的影响 | 第59-61页 |
| ·O_2流量对ZnO 光学性质的影响 | 第61-62页 |
| ·O_2流量对ZnO 电学性质的影响 | 第62-63页 |
| ·分步退火对蓝宝石上生长的 ZnO 薄膜质量的影响及特性分析 | 第63-67页 |
| ·在蓝宝石衬底上生长的ZnO 薄膜的掺杂及特性研究 | 第67-76页 |
| ·N_2O 流量对蓝宝石衬底上生长的ZnO 薄膜的影响及特性研究 | 第69-72页 |
| ·生长温度对N_2O 等离子体掺杂的影响及特性研究 | 第72-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 本章参考文献 | 第78-83页 |
| 第四章 (001)Si衬底上ZnO薄膜的生长及掺杂研究 | 第83-93页 |
| ·样品制备的基本过程 | 第83页 |
| ·(001)Si衬底上ZnO薄膜的生长及特性研究 | 第83-85页 |
| ·(001)Si衬底上ZnO薄膜的分步退火生长及特性研究 | 第85-88页 |
| ·(001)Si衬底上ZnO薄膜的掺杂研究及器件制备 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 本章参考文献 | 第92-93页 |
| 第五章 n-ZnO/p-GaN异质结器件的制备及特性研究 | 第93-105页 |
| ·p 型GaN 的制备 | 第94-95页 |
| ·n 型ZnO 的生长及n-ZnO/p-GaN 材料表征 | 第95-97页 |
| ·n-ZnO/p-GaN 异质结器件制备及特性研究 | 第97-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 本章参考文献 | 第103-105页 |
| 结论 | 第105-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 博士学位期间发表的论文和申请的专利 | 第109-111页 |
| 摘要 | 第111-114页 |
| ABSTRACT | 第114-116页 |
