| 摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-18页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第7-9页 |
| ·SiC的电学特性 | 第9-11页 |
| ·SiC单晶制备 | 第11页 |
| ·SiC掺杂 | 第11-12页 |
| ·SiC氧化工艺 | 第12-15页 |
| ·SiO_2的结构 | 第15-16页 |
| ·SiO_2的作用 | 第16-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 SiO_2/SiC,SiO_2/Si的界面特性分析 | 第18-32页 |
| ·氧化层中的电荷 | 第18-23页 |
| ·氧化层中的可动离子电荷 | 第19-20页 |
| ·氧化层中的固定电荷 | 第20-21页 |
| ·氧化层中的界面陷阱电荷 | 第21-23页 |
| ·氧化层陷阱电荷 | 第23页 |
| ·SiO_2/SiC界面态的起源 | 第23-25页 |
| ·衬底杂质 | 第23页 |
| ·悬挂键 | 第23-24页 |
| ·SiO_2/SiC界面处的C簇 | 第24页 |
| ·边界陷阱 | 第24页 |
| ·界面处的Si_xC过渡层 | 第24页 |
| ·氧化层—半导体的界面态的测量 | 第24-25页 |
| ·界面改善工艺 | 第25-27页 |
| ·氧化前SiC晶片的预处理 | 第25页 |
| ·氧化后处理 | 第25页 |
| ·采用低温再氧化退火 | 第25-26页 |
| ·在H_2气氛中高温退火 | 第26页 |
| ·NO退火或NO、N_2O直接氧化生长 | 第26-27页 |
| ·采用其它晶面代替目前常用的(0001)面 | 第27页 |
| ·界面层的物理结构及其测量 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 对SiC氧化层特性的红外光谱研究 | 第32-53页 |
| ·红外光谱的基本原理 | 第32-39页 |
| ·固体中的光吸收 | 第33-35页 |
| ·光学常数 | 第35-36页 |
| ·反射系数 | 第36页 |
| ·晶格振动与红外光波相互作用 | 第36-38页 |
| ·多振子反射光谱 | 第38-39页 |
| ·实验方法 | 第39页 |
| ·SiO_2/Si、SiO_2/SiC的红外反射光谱和透射光谱及讨论 | 第39-52页 |
| ·SiO_2/Si、SiO_2/SiC的红外反射光谱 | 第40-42页 |
| ·SiO_2/Si、SiO_2/SiC的红外透射光谱 | 第42-44页 |
| ·四种样品的SiO_2/SiC红外反射光谱 | 第44-45页 |
| ·SiO_2/SiC氧化后退火的红外反射光谱 | 第45-47页 |
| ·AS_1TO峰高频端台阶的分解 | 第47-48页 |
| ·退火对氧化层厚度和折射率的影响 | 第48-50页 |
| ·不同退火条件下AS_1TO峰位的漂移 | 第50-51页 |
| ·SiO_2/SiC和SiO_2/Si的归一化红外反射光谱 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 总结 | 第55-56页 |
| 在读期间科研成果简介 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
