GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-24页 |
| ·GaN材料外延生长 | 第9-16页 |
| ·GaN外延生长工艺 | 第10-13页 |
| ·GaN外延衬底 | 第13-16页 |
| ·SOI柔性衬底概述 | 第16-23页 |
| ·SOI柔性衬底简介 | 第17-18页 |
| ·SOI基GaN外延技术 | 第18-23页 |
| ·本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 SOI衬底柔性特征的理论计算 | 第24-36页 |
| ·经典柔性衬底理论 | 第24-30页 |
| ·理想柔性衬底材料 | 第25-27页 |
| ·实际柔性衬底材料 | 第27-30页 |
| ·SOI基GaN柔性衬底性质分析 | 第30-35页 |
| ·GaN/SOI模型 | 第30-33页 |
| ·GaN/AlN/SOI模型 | 第33-35页 |
| ·本章总结 | 第35-36页 |
| 第三章 SOI柔性衬底的GaN外延生长研究 | 第36-53页 |
| ·SOI衬底与体硅衬底的比较研究 | 第36-49页 |
| ·AlN缓冲层/GaN外延层结构 | 第36-45页 |
| ·AlN缓冲层/GaN外延层(AlN插入层)结构 | 第45-49页 |
| ·不同厚度SOI衬底的比较研究 | 第49-52页 |
| ·本章总结 | 第52-53页 |
| 第四章 SOI衬底电学性质与外延成核密度 | 第53-68页 |
| ·SOI衬底的电学性质 | 第53-59页 |
| ·电容-电压(C-V)法 | 第54-57页 |
| ·Pseudo-MOS法 | 第57-59页 |
| ·SOI衬底的外延成核密度研究 | 第59-67页 |
| ·应力转变厚度与位错密度的关系 | 第59-60页 |
| ·SIMOX-SOI与体硅衬底表面成核密度比较 | 第60-64页 |
| ·不同厚度SOI衬底表面成核密度比较 | 第64-67页 |
| ·本章总结 | 第67-68页 |
| 第五章 几种用于GaN外延生长的特殊SOI衬底 | 第68-82页 |
| ·注入改性的SOI衬底 | 第68-72页 |
| ·实验方案 | 第68-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-72页 |
| ·选区外延SOI衬底 | 第72-76页 |
| ·实验方案 | 第72-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76页 |
| ·侧向外延SOI衬底 | 第76-80页 |
| ·实验方案 | 第77-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-80页 |
| ·本章总结 | 第80-82页 |
| 第六章 结论 | 第82-83页 |
| 附录 本文中用到英文缩写 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-96页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文目录 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 个人简介 | 第99-100页 |
