| 内容提要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 序言 | 第10-11页 |
| 第一章 综述 | 第11-23页 |
| 第一节 GaN 的性质 | 第11-14页 |
| 第二节 GaN 材料的制备及研究进展 | 第14-17页 |
| 第三节 GaN 材料研究分析手段 | 第17-21页 |
| 第四节 GaN 薄膜中缺陷的种类 | 第21-23页 |
| 第二章 金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究 | 第23-34页 |
| 第一节 主要仪器工作原理 | 第24-27页 |
| 第二节 实验 | 第27-28页 |
| 第三节 实验结果与讨论 | 第28-32页 |
| 第四节 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 n 型氮化镓中的持续光电导现象 | 第34-42页 |
| 第一节 本章所用的主要测量方法 | 第34-36页 |
| 第二节 实验主要设备及其工作原理 | 第36-37页 |
| 第三节 实验结果和讨论 | 第37-42页 |
| 第四章 n 型 GaN 薄膜中少数载流子扩散长度的研究 | 第42-53页 |
| 第一节 光电压谱的实验原理 | 第42-43页 |
| 第二节 主要设备的工作原理 | 第43-46页 |
| 第三节 实验和结果讨论 | 第46-52页 |
| 第四节 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 GaN基肖特基结构紫外探测器及GaN材料中光淬灭现象的研究 | 第53-61页 |
| 第一节 GaN 基肖特基紫外探测器中的光淬灭现象 | 第53-58页 |
| 第二节 GaN 材料中光淬灭现象的研究 | 第58-60页 |
| 第三节 本章小结 | 第60-61页 |
| 结束语 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 后记 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表文章 | 第71-72页 |
| 使用授权说明 | 第72页 |
