| 引言 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 第一节 GaSb材料的研究进展 | 第8-10页 |
| 第二节 半导体缺陷的正电子湮没谱学研究 | 第10-20页 |
| 第二章 符合多普勒展宽谱的源修正研究 | 第20-29页 |
| 第一节 引言 | 第20-21页 |
| 第二节 符合多普勒展宽谱的源修正方法 | 第21-29页 |
| 一 实验 | 第21-22页 |
| 二 结果与分析 | 第22-23页 |
| 三 源修正的解决方案 | 第23-28页 |
| 四 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 质子辐照对GaSb材料缺陷的影响 | 第29-41页 |
| 第一节 引言 | 第29-32页 |
| 第二节 原生GaSb材料中的缺陷 | 第32-34页 |
| 第三节 质子辐照下本征及掺杂GaSb中缺陷的变化 | 第34-36页 |
| 第四节 质子辐照GaSb中的浅捕获缺陷 | 第36-39页 |
| 第五节 小结 | 第39-41页 |
| 第四章 电子辐照对GaSb材料缺陷的影响 | 第41-44页 |
| 第一节 引言 | 第41-43页 |
| 一 实验 | 第41-42页 |
| 二 结果与分析 | 第42-43页 |
| 第二节 小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 作者在攻读硕士学位期间的论文工作 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |