| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1-1 GaAs 材料的结构、性质、应用领域及其发展 | 第10-12页 |
| 1-1-1 砷化镓晶体的结构特点 | 第10页 |
| 1-1-2 砷化镓晶体的性质 | 第10-11页 |
| 1-1-3 砷化镓的发展及其应用领域 | 第11-12页 |
| 1-2 GaAs 晶体生长工艺 | 第12-14页 |
| 1-3 GaAs 单晶材料中的缺陷 | 第14-20页 |
| 1-3-1 晶体缺陷概述 | 第14页 |
| 1-3-2 GaAs 中的点缺陷 | 第14-15页 |
| 1-3-3 GaAs 晶体中的线缺陷 | 第15-18页 |
| 1-3-4 GaAs 晶体中的面缺陷 | 第18页 |
| 1-3-5 GaAs 中的体缺陷 | 第18页 |
| 1-3-6 GaAs 晶体中的微缺陷 | 第18-20页 |
| 1-4 GaAs 晶体中缺陷的显示和检测 | 第20-22页 |
| 1-4-1 GaAs 缺陷显示方法 | 第20-21页 |
| 1-4-2 GaAs 中缺陷的检测技术 | 第21-22页 |
| 1-5 研究SI-GaAs 中缺陷的意义 | 第22-23页 |
| 1-6 本论文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验方法 | 第24-29页 |
| 2-1 样品制备 | 第24页 |
| 2-2 缺陷的腐蚀 | 第24-25页 |
| 2-2-1 AB 腐蚀和超声AB 腐蚀法 | 第24-25页 |
| 2-2-2 KOH 腐蚀法 | 第25页 |
| 2-3 缺陷检测 | 第25-29页 |
| 2-3-1 金相显微镜 | 第25-26页 |
| 2-3-2 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2-3-3 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2-3-4 PL Mapping 技术 | 第28-29页 |
| 第三章 SI-GaAs 中的缺陷形貌 | 第29-36页 |
| 3-1 引言 | 第29页 |
| 3-2 AB 腐蚀法显示缺陷 | 第29-32页 |
| 3-2-1 实验过程 | 第29页 |
| 3-2-2 结果与讨论 | 第29-32页 |
| 3-3 KOH 腐蚀法显示缺陷 | 第32-34页 |
| 3-3-1 实验过程 | 第32-33页 |
| 3-3-2 结果与讨论 | 第33-34页 |
| 3-4 腐蚀条件不同对腐蚀形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3-4-1 不同腐蚀时间下不同的腐蚀形貌 | 第34页 |
| 3-4-2 不同腐蚀方法下不同的腐蚀形貌 | 第34-35页 |
| 3-5 小结 | 第35-36页 |
| 第四章 SI-GaAs 中缺陷的微观特性及其形成机理 | 第36-47页 |
| 4-1 位错的成因 | 第36-42页 |
| 4-1-1 胞状和系属结构产生的原因及特性 | 第36-40页 |
| 4-1-2 环形位错的成因 | 第40-42页 |
| 4-2 微缺陷的形成过程 | 第42-44页 |
| 4-3 位错腐蚀坑的形成 | 第44-46页 |
| 4-3-1 腐蚀坑的形成过程 | 第44-45页 |
| 4-3-2 蚀坑法分析SI-GaAs 中的位错 | 第45-46页 |
| 4-4 小结 | 第46-47页 |
| 第五章 大直径 SI-GaAs 晶体中缺陷分布 | 第47-54页 |
| 5-1 引言 | 第47页 |
| 5-2 实验 | 第47-52页 |
| 5-2-1 实验样品和仪器 | 第47页 |
| 5-2-2 实验过程 | 第47-48页 |
| 5-2-3 结果和讨论 | 第48-52页 |
| 5-3 SI-GaAs 中位错分布及其密度的测定 | 第52-53页 |
| 5-4 小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59页 |