氮掺杂p型ZnO薄膜的生长及理论研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第13-15页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| ·ZnO薄膜的点缺陷 | 第17-19页 |
| ·ZnO薄膜的本征点缺陷 | 第17-18页 |
| ·本征点缺陷对制备p型ZnO的影响 | 第18-19页 |
| ·p型ZnO的研究进展 | 第19-22页 |
| ·Ⅰ族元素掺杂 | 第20页 |
| ·Ⅴ族元素掺杂 | 第20-21页 |
| ·共掺杂 | 第21-22页 |
| ·非故意掺杂 | 第22页 |
| ·单源化学气相沉积法(SSCVD)简介 | 第22-24页 |
| ·单源化学气相沉积法(SSCVD)及其特点 | 第22-23页 |
| ·单源化学气相沉积法(SSCVD)原理与技术 | 第23页 |
| ·SSCVD制备ZnO薄膜的研究进展 | 第23-24页 |
| ·本论文的研究的目的和意义 | 第24-26页 |
| 第二章 单源化学气相沉积装置及样品分析方法 | 第26-35页 |
| ·单源化学气相沉积(SSCVD)装置介绍 | 第26页 |
| ·衬底的预处理 | 第26-27页 |
| ·ZnO薄膜的分析表征手段 | 第27-35页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第28-30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第31-32页 |
| ·霍尔效应及范德堡方法 | 第32-34页 |
| ·X-Y记录仪 | 第34-35页 |
| 第三章 SSCVD制备氮掺杂p-ZnO薄膜及器件 | 第35-56页 |
| ·两步法氮掺杂p-ZnO薄膜的制备与分析 | 第35-44页 |
| ·结构性质 | 第35-36页 |
| ·形貌分析 | 第36-37页 |
| ·XPS分析 | 第37-39页 |
| ·光学性质 | 第39-42页 |
| ·紫外-可见光透过率 | 第39-41页 |
| ·光致发光谱 | 第41-42页 |
| ·电学性质 | 第42-44页 |
| ·一步法氮掺杂ZnO薄膜的制备与分析 | 第44-52页 |
| ·结构性质 | 第45页 |
| ·XPS分析 | 第45-47页 |
| ·光学性质 | 第47-52页 |
| ·紫外-可见光透过率 | 第47-48页 |
| ·光致发光谱 | 第48-52页 |
| ·基于ZnO薄膜的异质结器件 | 第52-56页 |
| ·电极特性 | 第52-54页 |
| ·异质结器件 | 第54-56页 |
| 第四章 两步法N掺杂p-ZnO薄膜的理论计算 | 第56-63页 |
| ·第一性原理的发展、作用及优点 | 第56-57页 |
| ·CASTEP软件包功能特点 | 第57-58页 |
| ·论模型与计算方法 | 第58-59页 |
| ·两步法氮掺杂p-ZnO掺杂机制的计算 | 第59-63页 |
| ·晶胞优化 | 第59页 |
| ·ZnO:No+V_(Zn)模型电子结构的计算 | 第59-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71页 |
