| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 AlN的基本性质和应用 | 第10-11页 |
| 1.3 纳米结构的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.4 半导体光致发光性能 | 第12-14页 |
| 1.4.1 半导体光致发光的作用机理 | 第12-13页 |
| 1.4.2 半导体掺杂的基本理论 | 第13-14页 |
| 1.5 掺杂AlN发光性能的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.6 本论文的选题依据及主要内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 无水氯化锌为掺杂源制备Zn掺杂氮化铝纳米结构 | 第24-37页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 纯AlN和Zn掺杂AlN纳米结构的制备及性能表征 | 第24-29页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.2 结果和讨论 | 第25-29页 |
| 2.3 NH_3流量对Zn掺杂样品的影响 | 第29-31页 |
| 2.3.1 样品的制备 | 第29页 |
| 2.3.2 结果和讨论 | 第29-31页 |
| 2.4 Zn掺杂量的影响 | 第31-34页 |
| 2.4.1 样品的制备 | 第31-32页 |
| 2.4.2 结果和讨论 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 纳米锌粉为掺杂源制备Zn掺杂氮化铝纳米结构 | 第37-50页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 硅片的放置角度对Zn掺杂AlN纳米结构的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第37-38页 |
| 3.2.2 结果和讨论 | 第38-40页 |
| 3.3 生长温度的影响 | 第40-44页 |
| 3.3.1 样品的制备 | 第40-41页 |
| 3.3.2 结果和讨论 | 第41-44页 |
| 3.4 Zn掺杂量的影响 | 第44-47页 |
| 3.4.1 样品的制备 | 第44页 |
| 3.4.2 结果与讨论 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 Cu掺杂氮化铝纳米结构的制备及发光性能的研究 | 第50-64页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 Cu掺杂量的影响 | 第50-55页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第52页 |
| 4.2.2 结果和讨论 | 第52-55页 |
| 4.3 生长温度的影响 | 第55-58页 |
| 4.3.1 样品的制备 | 第55页 |
| 4.3.2 结果和讨论 | 第55-58页 |
| 4.4 NH_3/Ar流量比的影响 | 第58-61页 |
| 4.4.1 样品的制备 | 第58页 |
| 4.4.2 结果和讨论 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 结论 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 硕士期间的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
