| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 TiO_2稀磁半导体 | 第13-18页 |
| 1.2.1 稀磁半导体简介 | 第13-15页 |
| 1.2.2 TiO_2稀磁半导体磁性起源 | 第15-18页 |
| 1.3 掺杂金红石TiO_2巨介电常数性质 | 第18-33页 |
| 1.3.1 电介质基本概念 | 第18-21页 |
| 1.3.2 传统巨介电常数材料 | 第21-27页 |
| 1.3.3 共掺杂TiO_2巨介电常数材料 | 第27-33页 |
| 1.4 掺杂金红石TiO_2磁性和介电性质研究中存在的问题 | 第33-34页 |
| 1.4.1 TiO_2稀磁半导体研究中存在问题 | 第33-34页 |
| 1.4.2 金红石TiO_2巨介电常数材料研究中存在的问题 | 第34页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第2章 非磁性离子掺杂TiO_2稀磁半导体的研究 | 第36-55页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 样品的制备及计算方法 | 第36-37页 |
| 2.3 Ga掺杂TiO_2磁性的研究 | 第37-42页 |
| 2.4 掺杂离子半径对磁性质的影响 | 第42-47页 |
| 2.5 氧空位对磁性质的影响 | 第47-53页 |
| 2.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第3章 In+Nb共掺杂TiO_2巨介电常数起源的研究 | 第55-75页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 样品的制备 | 第56-58页 |
| 3.2.1 陶瓷样品制备 | 第56页 |
| 3.2.2 高质量单晶制备 | 第56-58页 |
| 3.3 样品表征及元素成分分析 | 第58-63页 |
| 3.3.1 物相和形貌分析 | 第58-60页 |
| 3.3.2 元素成分及价态分析 | 第60-63页 |
| 3.4 样品的介电性质研究 | 第63-65页 |
| 3.5 单晶样品巨介电常数起源的研究 | 第65-68页 |
| 3.6 陶瓷样品巨介电常数起源的研究 | 第68-74页 |
| 3.7 本章小结 | 第74-75页 |
| 第4章 Al对Al+Nb共掺杂TiO_2巨介电性质的影响 | 第75-97页 |
| 4.1 引言 | 第75页 |
| 4.2 Al_xNb_(0.03)Ti_(0.97-x)O_2陶瓷的制备与表征 | 第75-80页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第75-76页 |
| 4.2.2 样品表征 | 第76-80页 |
| 4.3 Al_(0.03)Nb_(0.03)Ti_(0.94)O_2陶瓷巨介电常数起源的研究 | 第80-88页 |
| 4.3.1 介电及阻抗性质 | 第80-86页 |
| 4.3.2 元素组分及价态分析 | 第86-87页 |
| 4.3.3 抛光对介电性质的影响 | 第87-88页 |
| 4.4 Al和Nb对Al_xNb_(0.03)Ti_(0.97-x)O_2陶瓷介电性质的影响 | 第88-96页 |
| 4.4.1 Al掺杂量对介电性质的影响 | 第88-89页 |
| 4.4.2 Al掺杂量对Ti价态影响 | 第89-91页 |
| 4.4.3 Al掺杂量对晶界和晶粒电阻的影响 | 第91-96页 |
| 4.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 第5章 Al+Nb共掺杂SnO_2巨介电常数陶瓷的研究 | 第97-114页 |
| 5.1 引言 | 第97-99页 |
| 5.2 样品的制备与表征 | 第99-102页 |
| 5.3 Al+Nb共掺杂SnO_2陶瓷巨介电常数起源 | 第102-105页 |
| 5.4 影响介电性能因素分析 | 第105-113页 |
| 5.5 本章小结 | 第113-114页 |
| 结论 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-130页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 个人简历 | 第133页 |
