| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第10-15页 |
| 1.1.1 GaN和ZnO材料基本特性 | 第10-14页 |
| 1.1.2 GaN基材料LED应用及主要局限 | 第14-15页 |
| 1.1.3 ZnO和GaN直接键合的提出与研究意义 | 第15页 |
| 1.2 键合技术简介 | 第15-18页 |
| 1.2.1 键合技术的发展历史 | 第15-16页 |
| 1.2.2 GaN材料键合研究情况 | 第16-17页 |
| 1.2.3 国内外键合研究概况 | 第17-18页 |
| 1.3 本论文的主要内容和工作安排 | 第18-20页 |
| 第2章 晶片直接键合技术 | 第20-30页 |
| 2.1 键合机理 | 第20-21页 |
| 2.2 键合技术的方法 | 第21-26页 |
| 2.2.1 无中间层晶圆键合工艺 | 第21-24页 |
| 2.2.2 有中间层晶片键合技术 | 第24-26页 |
| 2.3 键合设备的介绍 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 影响ZnO/GaN直接键合的主要因素分析及模拟 | 第30-44页 |
| 3.1 晶片表面微观尺度的起伏对晶片键合的影响 | 第30-36页 |
| 3.1.1 表面粗糙的晶片键合的理论模型 | 第31-33页 |
| 3.1.2 表面粗糙对ZnO/GaN晶片键合影响的分析和模拟 | 第33-36页 |
| 3.2 颗粒对ZnO/GaN晶片键合影响分析及模拟 | 第36-38页 |
| 3.3 晶片表面的化学状态对晶片键合的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 退火处理对晶片键合的影响 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 ZnO/GaN直接键合工艺的研究 | 第44-58页 |
| 4.1 键合实验前期准备 | 第44-49页 |
| 4.1.1 键合夹具的研制 | 第44-46页 |
| 4.1.2 ZnO和GaN晶片表面形貌观察 | 第46-48页 |
| 4.1.3 用Ansys模拟进行热应力分析 | 第48-49页 |
| 4.2 ZnO/GaN晶片直接键合实验 | 第49-52页 |
| 4.2.1 晶片直接键合实验 | 第49-50页 |
| 4.2.2 键合实验结果 | 第50-52页 |
| 4.3 键合实验分析 | 第52-56页 |
| 4.3.1 键合界面的光学传输特性分析 | 第52页 |
| 4.3.2 键合界面SEM观察 | 第52-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 n-ZnO薄膜欧姆接触电极制备 | 第58-70页 |
| 5.1 欧姆接触理论 | 第58-62页 |
| 5.1.1 金属－半导体接触基本原理 | 第58-60页 |
| 5.1.2 欧姆接触电阻率测量 | 第60-61页 |
| 5.1.3 n-ZnO薄膜的欧姆接触概述 | 第61-62页 |
| 5.2 Ag/Au与n-ZnO薄膜欧姆接触的制备、测试和分析 | 第62-67页 |
| 5.2.1 Ag/Au与n-ZnO薄膜欧姆接触的制备 | 第62-63页 |
| 5.2.2 Ag/Au与n-ZnO薄膜欧姆接触的测试和分析 | 第63-65页 |
| 5.2.3 Ag/Au与n-ZnO薄膜欧姆接触的讨论 | 第65-67页 |
| 5.3 常规金属与n-ZnO欧姆接触和Ag/Au与n-ZnO欧姆接触的比较 | 第67-69页 |
| 5.3.1 I-V特性的简单比较 | 第67-68页 |
| 5.3.2 反射特性的比较 | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 总结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
