| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 In_2S_3的基本性质和研究现状 | 第12-17页 |
| 1.1.1 In_2S_3的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.1.2 In_2S_3粉末的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.1.3 In_2S_3薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.1.4 In_2S_3纳米的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.2 In_2S_3的应用 | 第17-20页 |
| 1.2.1 In_2S_3在稀磁半导体领域的应用 | 第17-18页 |
| 1.2.2 In_2S_3在光催化领域的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.3 In_2S_3在光伏领域的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 本文研究的意义和内容 | 第20-21页 |
| 第2章 In_2S_3薄膜的溅射法制备及表征手段 | 第21-30页 |
| 2.1 磁控溅射法制备薄膜的原理 | 第21页 |
| 2.2 磁控溅射法设备及影响因素 | 第21-23页 |
| 2.3 In_2S_3薄膜的制备流程 | 第23-24页 |
| 2.4 薄膜的生长过程 | 第24-26页 |
| 2.5 In_2S_3薄膜的表征手段 | 第26-30页 |
| 2.5.1 X射线衍射分析仪(XRD) | 第26-27页 |
| 2.5.2 扫描电镜(SEM)和EDS分析 | 第27-28页 |
| 2.5.3 紫外-可见分光光度计测试分析 | 第28-29页 |
| 2.5.4 光谱分析 | 第29-30页 |
| 第3章 In_2S_3薄膜的溅射法制备和性能 | 第30-67页 |
| 3.1 溅射功率对薄膜结构和性能的影响 | 第30-38页 |
| 3.1.1 晶体结构 | 第31-32页 |
| 3.1.2 表面形貌 | 第32-33页 |
| 3.1.3 化学成分 | 第33页 |
| 3.1.4 光学透过率和带隙 | 第33-35页 |
| 3.1.5 拉曼光谱 | 第35-36页 |
| 3.1.6 光电导 | 第36-37页 |
| 3.1.7 本节小结 | 第37-38页 |
| 3.2 沉积温度对In_2S_3薄膜结构和性能的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第38-39页 |
| 3.2.2 薄膜形貌和成分 | 第39-40页 |
| 3.2.3 拉曼光谱 | 第40-41页 |
| 3.2.4 本节小结 | 第41页 |
| 3.3 沉积时间对In_2S_3成膜的影响 | 第41-53页 |
| 3.3.1 化学成分 | 第42-43页 |
| 3.3.2 晶体结构 | 第43-44页 |
| 3.3.3 表面形貌 | 第44-46页 |
| 3.3.4 拉曼光谱 | 第46-47页 |
| 3.3.5 光学性质 | 第47-52页 |
| 3.3.6 光电导 | 第52-53页 |
| 3.3.7 本节小结 | 第53页 |
| 3.4 溅射气压对In_2S_3薄膜结构和性能的影响 | 第53-61页 |
| 3.4.1 晶体结构 | 第54-56页 |
| 3.4.2 薄膜成分 | 第56-57页 |
| 3.4.3 表面形貌 | 第57-58页 |
| 3.4.4 光透过率和带隙 | 第58-60页 |
| 3.4.5 拉曼光谱 | 第60-61页 |
| 3.4.6 本节小结 | 第61页 |
| 3.5 诱导生长对In_2S_3薄膜的影响 | 第61-67页 |
| 3.5.1 晶体结构 | 第62-63页 |
| 3.5.2 形貌和成分 | 第63-64页 |
| 3.5.3 光透过率和带隙 | 第64-66页 |
| 3.5.4 拉曼光谱 | 第66页 |
| 3.5.5 本节小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第78页 |