| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 高密度自旋磁性存储器 | 第14-15页 |
| 1.2 单量子自旋系统 | 第15-17页 |
| 1.2.1 晶体缺陷引入顺磁中心材料 | 第15-16页 |
| 1.2.2 纳米磁体材料 | 第16-17页 |
| 1.3 量子自旋调控技术 | 第17-20页 |
| 1.3.1 电子-电子交换耦合的调控方法 | 第18页 |
| 1.3.2 基于Zeeman效应的调控方法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 其他调控方法 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第20-21页 |
| 第2章 磁各向异性及其第一性原理计算理论 | 第21-31页 |
| 2.1 磁各向异性理论 | 第21-24页 |
| 2.1.1 磁晶各向异性能 | 第21-22页 |
| 2.1.2 基于单离子各向异性理论的有效哈密顿量 | 第22-24页 |
| 2.2 第一性原理计算MAE的方法概述 | 第24-27页 |
| 2.2.1 密度泛函理论DFT | 第25页 |
| 2.2.2 交换关联势LDA和GGA | 第25-26页 |
| 2.2.3 平面波赝势方法 | 第26-27页 |
| 2.3 分子轨道理论 | 第27-28页 |
| 2.4 Jahn-Teller效应 | 第28-31页 |
| 第3章 基于二维单层硫化钼的单量子自旋结构 | 第31-43页 |
| 3.1 研究背景 | 第31页 |
| 3.2 MoS_2的基本属性和电子结构 | 第31-32页 |
| 3.3 单层MoS_2的LPCVD生长及表征方法简介 | 第32-34页 |
| 3.4 第一性原理计算方法 | 第34-35页 |
| 3.5 结果与讨论 | 第35-42页 |
| 3.5.1 表面吸附单量子的稳定性和磁性 | 第35-38页 |
| 3.5.3 表面吸附磁性单量子的MAE | 第38-40页 |
| 3.5.4 Jahn-Teller效应调控单量子自旋 | 第40-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 基于富勒烯分子磁体的单量子自旋结构 | 第43-52页 |
| 4.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 4.2 富勒烯单分子磁体结构 | 第44-45页 |
| 4.3 计算方法 | 第45-46页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 4.4.1 磁性计算结果 | 第46-48页 |
| 4.4.2 磁各向异性的解析 | 第48-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 石墨烯中杂质与晶格缺陷耦合增强催化性能的研究 | 第52-59页 |
| 5.1 研究背景 | 第52页 |
| 5.2 材料制备 | 第52-53页 |
| 5.3 计算方法 | 第53-55页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第55-58页 |
| 5.4.1 电子结构 | 第55-57页 |
| 5.4.2 调控氢吸附Gibbs自由能 | 第57-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第6章 总结 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-74页 |
| 感谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第76-77页 |
