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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶的掺杂调控合成及光电性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-24页
    1.1 引言第10页
    1.2 半导体纳米晶的制备方法及成长机理第10-13页
        1.2.1 半导体纳米晶的制备方法第10-12页
        1.2.2 生长机理第12-13页
    1.3 半导体纳米晶的掺杂及其对性能的影响第13-17页
        1.3.1 半导体纳米晶的掺杂第13-15页
        1.3.2 掺杂对纳米晶性能的影响第15-17页
    1.4 掺杂半导体纳米晶的发光原理第17-18页
    1.5 半导体纳米晶的自组装第18-19页
    1.6 半导体纳米晶的应用第19-22页
    1.7 本论文的选题意义及主要内容第22-24页
        1.7.1 选题意义第22页
        1.7.2 研究内容第22-24页
第2章 Cu离子掺杂CdS纳米晶的制备及光电性能研究第24-40页
    2.1 引言第24-25页
    2.2 实验部分第25-39页
        2.2.1 实验主要试剂第25页
        2.2.2 样品制备步骤第25-26页
        2.2.3 样品表征第26-28页
        2.2.4 实验结果与讨论第28-39页
    2.3 本章小结第39-40页
第3章 Ag离子掺杂的II-VI半导体纳米晶的合成及光电性能研究第40-54页
    3.1 前言第40-41页
    3.2 实验部分第41-53页
        3.2.1 实验主要试剂第41页
        3.2.2 样品制备步骤第41-42页
        3.2.3 样品表征第42-43页
        3.2.4 实验结果与分析第43-53页
    3.3 本章小结第53-54页
第4章 Ag & Mx(Mx=Mn,Co,Ni,Fe)离子共掺杂的CdS纳米晶的制备及光、磁性能研究第54-63页
    4.1 前言第54-55页
    4.2 实验部分第55-62页
        4.2.1 实验主要试剂第55页
        4.2.2 样品制备步骤第55页
        4.2.3 样品表征第55-56页
        4.2.4 实验结果与讨论第56-62页
    4.3 本章小结第62-63页
结论与展望第63-65页
参考文献第65-77页
攻读学位期间发表论文与研究成果清单第77-78页
致谢第78页

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