应变及掺杂对GaN及InN光电性质影响的第一性原理研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| 1.1 选题意义 | 第8-9页 |
| 1.2 GaN与InN的研究现状以及存在的问题 | 第9-13页 |
| 1.2.1 应变及掺杂方面的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 光电应用方面的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 存在的问题 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要内容及创新点 | 第13-15页 |
| 1.3.1 主要内容 | 第13页 |
| 1.3.2 本文的创新点 | 第13-15页 |
| 第二章 Mg,Be共掺GaN电学光学性质研究 | 第15-25页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 模型构建及计算方法 | 第15-16页 |
| 2.2.1 模型构建 | 第15-16页 |
| 2.2.2 计算方法 | 第16页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第16-24页 |
| 2.3.1 Be与Mg分别单掺GaN | 第16-17页 |
| 2.3.2 Be与Mg双掺体系结构稳定性讨论 | 第17-18页 |
| 2.3.3 体系电子结构分析 | 第18-19页 |
| 2.3.4 不同浓度掺杂体系带隙变宽机理分析 | 第19-20页 |
| 2.3.5 光学性质分析 | 第20-22页 |
| 2.3.6 高掺杂电离杂质浓度分析 | 第22页 |
| 2.3.7 空穴有效质量和浓度分析 | 第22-23页 |
| 2.3.8 迁移率和电导率的分析 | 第23-24页 |
| 2.4 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 应变对GaN电子结构及光学性质的影响 | 第25-31页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 模型构建和计算方法 | 第25-26页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第26-30页 |
| 3.3.1 GaN的电子结构与光学性质 | 第26-30页 |
| 3.3.2 吸收光谱分析 | 第30页 |
| 3.4 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 应变对InN电子结构及光学性质影响 | 第31-42页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 模型构建及计算方法 | 第31-32页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第31-32页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第32页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第32-40页 |
| 4.3.1 不同计算条件下比较 | 第32页 |
| 4.3.2 应变对InN能带结构与态密度的影响 | 第32-36页 |
| 4.3.3 应变对InN光学性质影响 | 第36-40页 |
| 4.4 小结 | 第40-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 总结 | 第42-43页 |
| 5.2 展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及取得的科研成果 | 第50页 |
