| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 研究背景与科学意义 | 第11-13页 |
| 1.2 纳米材料的研究现状 | 第13页 |
| 1.3 纳米材料的性能和特征 | 第13-15页 |
| 1.3.1 纳米材料的特殊效应 | 第14-15页 |
| 1.3.2 纳米材料特殊的特征表现 | 第15页 |
| 1.4 能带理论 | 第15-22页 |
| 1.4.1 布洛赫定理 | 第17页 |
| 1.4.2 赝势 | 第17-18页 |
| 1.4.3 能带和带隙及K点取样 | 第18-20页 |
| 1.4.4 晶体属性(导体、绝缘体、金属) | 第20-21页 |
| 1.4.5 半导体电子论 | 第21-22页 |
| 1.6 电荷密度波(charge density wave-CDW) | 第22-23页 |
| 1.7 研究的主要内容和研究意义 | 第23-25页 |
| 1.7.1 主要内容 | 第23页 |
| 1.7.2 意义 | 第23-25页 |
| 第二章 应变模型及计算方法 | 第25-31页 |
| 2.1 应变模型的建立以及对应的计算细节 | 第25-27页 |
| 2.2 计算方法 | 第27-29页 |
| 2.2.1 第一性原理计算 | 第27页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第27-28页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第28页 |
| 2.2.4 绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.2.5 广义梯度近似 | 第29页 |
| 2.4 VASP计算软件包 | 第29-31页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第31-43页 |
| 3.1 表面局部应力对Si纳米线能带结构的调制 | 第31-34页 |
| 3.2 Ge纳米线(111)表面的局部应力 | 第34-37页 |
| 3.3 各项同性应力对单双层1T-TaS_2的CDW的影响 | 第37-43页 |
| 第四章 结论与展望 | 第43-45页 |
| 4.1、总结 | 第43-44页 |
| 4.2、展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第52页 |