| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1. 半导体超晶格材料 | 第8-13页 |
| 1.1.1. 半导体超晶格发展历程 | 第8-9页 |
| 1.1.2. 半导体超晶格概念、性质及其应用 | 第9-10页 |
| 1.1.3. 材料选择 | 第10-13页 |
| 1.1.4. 制备及测试分析 | 第13页 |
| 1.2. III族氮化物半导体材料 | 第13-16页 |
| 1.2.1. III族氮化物晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2. 氮化物材料的极化效应 | 第14-16页 |
| 1.2.3. 氮化物材料的其他性质 | 第16页 |
| 1.3. GaN/AlN半导体超晶格材料国内外研究进展 | 第16-19页 |
| 1.3.1. 本征材料的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3.2. 含有空位缺陷材料的研究进展 | 第18页 |
| 1.3.3. 调制掺杂结构材料的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.4. 本论文主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 计算方法与原理 | 第20-28页 |
| 2.1. 引言 | 第20-22页 |
| 2.2. 基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第22-27页 |
| 2.2.1. 近似方法 | 第23-24页 |
| 2.2.2. 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.2.3. 第一性原理的数值计算 | 第27页 |
| 2.3. 本文计算算法思想 | 第27-28页 |
| 第3章 结构调控对本征GaN/AlN超晶格电学性质的影响 | 第28-38页 |
| 3.1. 引言 | 第28页 |
| 3.2. 模型构造及计算方法 | 第28-29页 |
| 3.2.1. 超晶格模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2. 计算方法与参数设置 | 第29页 |
| 3.3. 计算结果与讨论 | 第29-36页 |
| 3.3.1. 纤锌矿结构 | 第29-34页 |
| 3.3.2. 闪锌矿结构 | 第34-36页 |
| 3.4. 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 空位对GaN/AlN超晶格电学性质的影响 | 第38-46页 |
| 4.1. 引言 | 第38页 |
| 4.2. 模型构造及计算方法 | 第38-40页 |
| 4.3. 计算结果与讨论 | 第40-44页 |
| 4.3.1. 晶体结构 | 第40-41页 |
| 4.3.2. 形成能 | 第41-42页 |
| 4.3.3. 电子态密度 | 第42-44页 |
| 4.4. 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 掺杂对GaN/AlN超晶格电学性质的影响 | 第46-56页 |
| 5.1. 引言 | 第46页 |
| 5.2. 模型构造及计算方法 | 第46-47页 |
| 5.2.1 超晶格模型 | 第46-47页 |
| 5.2.2 计算方法与参数设置 | 第47页 |
| 5.3. 计算结果与讨论 | 第47-55页 |
| 5.3.1. 晶体结构 | 第47-49页 |
| 5.3.2. 形成能 | 第49-51页 |
| 5.3.3. 电子态密度 | 第51-55页 |
| 5.4. 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |