| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-10页 |
| 1.1.1 SiC材料的基本特性 | 第7-8页 |
| 1.1.2 SiC材料、工艺及器件的发展 | 第8-10页 |
| 1.2 SiC欧姆接触研究国内外进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 国外SiC欧姆接触研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 国内研究进展及发展趋势 | 第13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SiC欧姆接触基本原理及测试方法研究 | 第14-23页 |
| 2.1 金属-半导体接触 | 第14-18页 |
| 2.1.1 肖特基势垒高度 | 第14-15页 |
| 2.1.2 载流子输运方程 | 第15-16页 |
| 2.1.3 欧姆接触 | 第16-18页 |
| 2.2 SiC欧姆接触表征手段 | 第18-21页 |
| 2.2.1 薄层材料欧姆接触测量方法 | 第18-20页 |
| 2.2.2 体材料欧姆接触测量方法 | 第20-21页 |
| 2.3 本文欧姆接触测试结构设计 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 4H-SiC欧姆接触关键工艺研究 | 第23-43页 |
| 3.1 欧姆接触金属选择 | 第23-27页 |
| 3.2 Al/Ti/Ni/p-SiC欧姆接触研究 | 第27-36页 |
| 3.2.1 p型欧姆接触工艺流程 | 第27-28页 |
| 3.2.2 实验结果及其分析 | 第28-32页 |
| 3.2.3 3300V 4H-SiC PiN器件的制备及测试 | 第32-36页 |
| 3.3 Al/Ti/Ni/n-SiC欧姆接触研究 | 第36-39页 |
| 3.3.1 n型欧姆接触工艺流程 | 第36-37页 |
| 3.3.2 n型实验结果及其分析 | 第37-39页 |
| 3.4 同时形成p型和n型欧姆接触的研究 | 第39-42页 |
| 3.4.1 XRD分析 | 第39-40页 |
| 3.4.2 AES分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 AFM表面粗糙度测量 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SiC MOSFET关键工艺研究 | 第43-57页 |
| 4.1 离子注入和高温激活退火 | 第43-53页 |
| 4.1.1 离子注入 | 第43-44页 |
| 4.1.2 离子注入仿真 | 第44-47页 |
| 4.1.3 离子注入激活 | 第47-53页 |
| 4.2 p型和n型离子注入片欧姆接触实验 | 第53-55页 |
| 4.3 离子注入及欧姆接触在4H-SiC MOSFET器件的应用 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 在学期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |