| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 半导体纳米材料的特性 | 第11-13页 |
| 1.1.1 表面效应 | 第11-12页 |
| 1.1.2 量子限制效应 | 第12-13页 |
| 1.1.3 宏观量子隧道效应 | 第13页 |
| 1.2 半导体纳米材料表面性质 | 第13-17页 |
| 1.2.1 表面电子态 | 第13-14页 |
| 1.2.2 表面能 | 第14-15页 |
| 1.2.3 表面重构 | 第15-17页 |
| 1.3 半导体纳米材料的光学性质 | 第17-18页 |
| 1.3.1 光谱吸收峰的蓝移和红移 | 第17页 |
| 1.3.2 宽频带强吸收 | 第17页 |
| 1.3.3 发光效率提高 | 第17-18页 |
| 1.4 本文研究的出发点和意义 | 第18-20页 |
| 第二章 第一性原理计算方法概述 | 第20-29页 |
| 2.1 固体能带理论的两个近似 | 第20-23页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第20-21页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第21-23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第25页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第25-27页 |
| 2.3 基于第一性原理的计算软件-VASP | 第27-29页 |
| 第三章 VA族单元素砷二维褶皱蜂窝层状结构的间接—直接带隙转变 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29-32页 |
| 3.2 计算方法 | 第32页 |
| 3.3 厚度对能带结构的影响 | 第32-39页 |
| 3.4 面内应变对带边的影响 | 第39-41页 |
| 3.5 小结 | 第41-42页 |
| 第四章 VIA族单元素碲表面性质、能带结构、光学性质研究 | 第42-62页 |
| 4.1 引言 | 第42-44页 |
| 4.2 计算方法 | 第44页 |
| 4.3 不同密勒指数表面研究 | 第44-51页 |
| 4.4 低密勒指数面构成的纳米结构的能带结构研究 | 第51-52页 |
| 4.5 碲晶体的光学吸收峰来源探索 | 第52-57页 |
| 4.6 尺寸对纳米线与纳米带结构的吸收峰与带隙的影响 | 第57-60页 |
| 4.7 小结 | 第60-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第71页 |
