| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 本课题研究的背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 单晶SiC的材料特性及加工现状综述 | 第15-20页 |
| 1.2.1 单晶SiC的材料特性 | 第15-16页 |
| 1.2.2 单晶SiC的超精密加工研究现状 | 第16-20页 |
| 1.3 基于芬顿反应的化学机械抛光研究 | 第20-21页 |
| 1.3.1 芬顿反应概述 | 第20-21页 |
| 1.3.2 基于芬顿反应的化学机械抛光 | 第21页 |
| 1.4 本课题来源和主要研究内容 | 第21-23页 |
| 1.4.1 课题的来源 | 第21页 |
| 1.4.2 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 基于芬顿反应的单晶SIC CMP实验验证及方法 | 第23-41页 |
| 2.1 基于芬顿反应的单晶SiC CMP实验验证 | 第23-31页 |
| 2.1.1 羟基自由基检测原理及实验 | 第23-26页 |
| 2.1.2 羟基自由基与SiC氧化反应实验 | 第26-27页 |
| 2.1.3 XPS实验分析SiC表面氧化层 | 第27-31页 |
| 2.2 芬顿反应后SiC表面的力学性能 | 第31-34页 |
| 2.2.1 纳米压痕原理及实验 | 第31-33页 |
| 2.2.2 SiC氧化前后表面硬度变化 | 第33-34页 |
| 2.2.3 SiC氧化前后表面模量变化 | 第34页 |
| 2.3 CMP实验方法 | 第34-40页 |
| 2.3.1 实验加工设备 | 第34-35页 |
| 2.3.2 化学因素的影响抛光实验 | 第35-37页 |
| 2.3.3 工艺参数的影响抛光实验 | 第37-38页 |
| 2.3.4 检测方法及设备 | 第38-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 羟基自由基浓度对SIC化学机械抛光的影响 | 第41-57页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 羟基自由基浓度对SiC氧化效果的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.1 不同FeSO_4浓度及反应时间时的·OH含量 | 第42-43页 |
| 3.2.2 不同·OH浓度时的SiC表面化学反应情况 | 第43-44页 |
| 3.3 催化剂对·OH浓度及SiC化学机械抛光的影响 | 第44-51页 |
| 3.3.1 固体催化剂粒径的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.2 固体与液体催化剂的比较 | 第46-49页 |
| 3.3.3 液体催化剂的添加方式 | 第49-51页 |
| 3.4 ·OH生成规律及其对SiC化学机械抛光效果 | 第51-56页 |
| 3.4.1 Fe~(2+)浓度的影响 | 第51-53页 |
| 3.4.2 pH的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.3 H_2O_2浓度的影响 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 基于芬顿反应的单晶SIC化学机械抛光工艺研究 | 第57-70页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 磨料种类的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 磨粒粒径的影响 | 第59-61页 |
| 4.4 磨料浓度的影响 | 第61-63页 |
| 4.5 抛光压力的影响 | 第63-66页 |
| 4.6 抛光转速的影响 | 第66-68页 |
| 4.7 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 基于芬顿反应的单晶SIC化学机械抛光机理分析 | 第70-87页 |
| 5.1 化学机械抛光材料去除理论 | 第70-73页 |
| 5.1.1 经典化学机械抛光材料去除方程 | 第70-71页 |
| 5.1.2 修正单晶SiC化学机械抛光材料去除方程 | 第71-73页 |
| 5.2 基于芬顿反应的SiC化学机械抛光材料去除过程 | 第73-75页 |
| 5.3 抛光垫的作用机理 | 第75-83页 |
| 5.3.1 抛光垫特性的影响 | 第75-78页 |
| 5.3.2 抛光垫磨损的分析 | 第78-80页 |
| 5.3.3 抛光垫接触变形的理论分析 | 第80-83页 |
| 5.4 基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光材料去除模型 | 第83-85页 |
| 5.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 总结与展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 攻读学位期间发表的成果 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
