| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-39页 |
| 1.1 课题研究目的和意义 | 第14-16页 |
| 1.2 异质结结构及其光电探测器研究进展 | 第16-23页 |
| 1.2.1 光电探测器分类及应用 | 第17-19页 |
| 1.2.2 异质结宽光谱光电探测器发展现状 | 第19-21页 |
| 1.2.3 核壳异质结分类及结构设计 | 第21-23页 |
| 1.3 ZnO纳米材料及其紫外光电探测器 | 第23-31页 |
| 1.3.1 ZnO纳米材料结构与性能 | 第24-25页 |
| 1.3.2 ZnO基光电探测器 | 第25-29页 |
| 1.3.3 ZnO纳米材料的制备 | 第29-31页 |
| 1.4 PbS QDs及其异质结概述 | 第31-37页 |
| 1.4.1 PbS量子点特性 | 第32-33页 |
| 1.4.2 PbS QDs及其异质结在光电领域的应用 | 第33-35页 |
| 1.4.3 PbS QDs/ZnO异质结电学输运特性 | 第35-37页 |
| 1.4.4 PbS QDs/ZnO异质结制备 | 第37页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第37-39页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第39-51页 |
| 2.1 试验试剂及材料制备 | 第39-41页 |
| 2.1.1 试验试剂 | 第39页 |
| 2.1.2 材料制备 | 第39-41页 |
| 2.2 结构表征 | 第41-48页 |
| 2.2.1 材料形貌表征 | 第41-43页 |
| 2.2.2 晶体结构表征 | 第43-45页 |
| 2.2.3 纳米材料表面分析 | 第45-46页 |
| 2.2.4 微观结构表征 | 第46-48页 |
| 2.3 光电性能 | 第48-51页 |
| 2.3.1 材料光学性能 | 第48-50页 |
| 2.3.2 探测器器件性能 | 第50-51页 |
| 第3章 ZnO纳米材料及PbS QDs/ZnO异质结制备和生长机理分析 | 第51-75页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 ZnO纳米材料的液相法制备及生长机理分析 | 第52-63页 |
| 3.2.1 锌源种类的影响 | 第52-54页 |
| 3.2.2 反应物浓度的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.3 前驱体溶液搅拌和静置的影响 | 第56-61页 |
| 3.2.4 溶剂的影响 | 第61-63页 |
| 3.3 PbS QDs/ZnO异质结制备及生长机理分析 | 第63-73页 |
| 3.3.1 生长机理分析 | 第63-68页 |
| 3.3.2 溶剂种类的影响 | 第68-71页 |
| 3.3.3 溶液浓度的影响 | 第71-72页 |
| 3.3.4 浸蘸次数的影响 | 第72-73页 |
| 3.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第4章 ZnO及PbS QDs/ZnO异质结的光电性能 | 第75-86页 |
| 4.1 前言 | 第75页 |
| 4.2 ZnO纳米材料结构与光学性能 | 第75-79页 |
| 4.3 PbS QDs/ZnO异质结光电性能 | 第79-85页 |
| 4.3.1 溶剂种类的影响 | 第79-81页 |
| 4.3.2 SILAR顺序的影响 | 第81-82页 |
| 4.3.3 浸蘸顺序的影响的机理分析 | 第82-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第5章 ZnO及PbS QDs/ZnO异质结的光电探测器应用 | 第86-102页 |
| 5.1 引言 | 第86-87页 |
| 5.2 ZnO基柔性光电探测器 | 第87-92页 |
| 5.2.1 探测器制备 | 第87-88页 |
| 5.2.2 器件性能表征 | 第88-91页 |
| 5.2.3 材料结构对器件性能影响机理分析 | 第91-92页 |
| 5.3 PbS QDs/ZnO异质结宽光谱光电探测器 | 第92-100页 |
| 5.3.1 探测器制备 | 第92-93页 |
| 5.3.2 异质结结构表征 | 第93-95页 |
| 5.3.3 器件性能表征 | 第95-96页 |
| 5.3.4 界面缺陷态对载流子分离和输运过程影响的机理分析 | 第96-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-103页 |
| 创新点 | 第103页 |
| 展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-119页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第119-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 个人简历 | 第123页 |
