| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 InGaN材料背景介绍 | 第11-13页 |
| 1.2 InGaN基材料的光学性质研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3 论文研究内容与安排 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 实验方法 | 第20-35页 |
| 2.1 飞秒激光系统 | 第20-22页 |
| 2.2 稳态和超快光谱技术 | 第22-32页 |
| 2.2.1 光致发光光谱 | 第22-24页 |
| 2.2.2 时间分辨荧光 | 第24-29页 |
| 2.2.3 泵浦-探测技术 | 第29-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 InGaN薄膜的室温受激发射和载流子动力学过程 | 第35-47页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 样品和研究方法 | 第35-37页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第37-45页 |
| 3.3.1 稳态荧光谱 | 第37-39页 |
| 3.3.2 时间分辨荧光 | 第39-41页 |
| 3.3.3 泵浦-探测结果 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱的载流子动力学研究 | 第47-60页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 样品和研究方法 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第49-57页 |
| 4.3.1 不同周期InGaN/GaN多量子阱样品 | 第49-53页 |
| 4.3.2 p-i-n结构InGaN/GaN多量子阱样品 | 第53-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第五章 总结和展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 进一步研究计划 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
