| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第14-38页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 碳化硅高温吸波材料研究概况 | 第14-20页 |
| 1.2.1 碳化硅材料的结构特性 | 第15-16页 |
| 1.2.2 碳化硅材料的高温吸波特性及应用 | 第16-20页 |
| 1.3 二氧化钒智能相变材料研究概况 | 第20-27页 |
| 1.3.1 二氧化钒材料的结构及应用 | 第21-23页 |
| 1.3.2 二氧化钒材料的国内外研究现状 | 第23-27页 |
| 1.4 本论文的研究意义 | 第27-28页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-38页 |
| 第2章 铝/氮掺杂碳化硅的制备及高温吸波性能研究 | 第38-76页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 铝/氮掺杂碳化硅的计算模拟 | 第39-47页 |
| 2.2.1 计算方法与模型构建 | 第39-41页 |
| 2.2.2 铝/氮掺杂碳化硅的结构稳定性研究 | 第41-42页 |
| 2.2.3 铝/氮掺杂碳化硅的电子结构研究 | 第42-44页 |
| 2.2.4 铝/氮掺杂碳化硅的光电导研究 | 第44-46页 |
| 2.2.5 铝/氮掺杂碳化硅的电子跃迁和补偿机制研究 | 第46-47页 |
| 2.3 铝掺杂碳化硅的制备及性能研究 | 第47-53页 |
| 2.3.1 燃烧合成法制备铝掺杂碳化硅 | 第47-48页 |
| 2.3.2 铝掺杂碳化硅的表征 | 第48-51页 |
| 2.3.3 铝掺杂碳化硅的高温介电性能研究 | 第51-53页 |
| 2.4 铝/氮共掺杂碳化硅的制备及性能研究 | 第53-57页 |
| 2.4.1 燃烧合成法制备铝/氮共掺杂碳化硅 | 第54页 |
| 2.4.2 铝/氮共掺杂碳化硅的表征 | 第54-56页 |
| 2.4.3 铝/氮共掺杂碳化硅的高温介电性能研究 | 第56-57页 |
| 2.5 氮掺杂碳化硅的制备及性能研究 | 第57-60页 |
| 2.5.1 燃烧合成法制备氮掺杂碳化硅 | 第57页 |
| 2.5.2 氮掺杂碳化硅的表征 | 第57-58页 |
| 2.5.3 氮掺杂碳化硅的高温介电性能研究 | 第58-60页 |
| 2.6 铝/氮系列掺杂碳化硅的高温介电响应机理研究 | 第60-64页 |
| 2.7 铝/氮系列掺杂碳化硅的高温微波吸收性能研究 | 第64-68页 |
| 2.8 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 第3章 过渡金属掺杂碳化硅的制备及高温介电性能研究 | 第76-98页 |
| 3.1 引言 | 第76-77页 |
| 3.2 过渡金属掺杂碳化硅的计算模拟 | 第77-85页 |
| 3.2.1 计算方法与模型构建 | 第77页 |
| 3.2.2 Ni掺杂SiC的结构稳定性与光电性能研究 | 第77-83页 |
| 3.2.3 不同Ni掺杂浓度对SiC光电性能影响 | 第83-85页 |
| 3.3 Fe、Co和Ni掺杂SiC的制备及性能研究 | 第85-93页 |
| 3.3.1 燃烧合成法制备Fe、Co和Ni掺杂SiC | 第86页 |
| 3.3.2 Fe、Co和Ni掺杂SiC的表征 | 第86-88页 |
| 3.3.3 Fe、Co和Ni掺杂SiC的高温介电性能研究 | 第88-93页 |
| 3.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 第4章 Al_2O_3基底上VO_2薄膜的制备及性能研究 | 第98-118页 |
| 4.1 引言 | 第98-99页 |
| 4.2 Al_2O_3基底上VO_2薄膜的合成工艺探究及性能研究 | 第99-106页 |
| 4.2.1 磁控溅射法沉积VO_2的工艺研究 | 第99-100页 |
| 4.2.2 不同溅射工艺对VO_2薄膜相组成及微观结构影响 | 第100-102页 |
| 4.2.3 不同退火工艺对VO_2薄膜微观结构及电学性能的影响 | 第102-106页 |
| 4.3 不同择优取向VO_2薄膜的制备及抗氧化稳定性研究 | 第106-113页 |
| 4.3.1 不同取向VO_2薄膜的制备过程 | 第106-107页 |
| 4.3.2 不同取向VO_2薄膜的相组成及成分 | 第107-110页 |
| 4.3.3 不同取向VO_2薄膜的电学稳定性研究 | 第110-111页 |
| 4.3.4 不同取向VO_2薄膜的光学稳定性 | 第111-112页 |
| 4.3.5 不同取向VO_2薄膜的光电稳定性机理研究 | 第112-113页 |
| 4.4 本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-118页 |
| 第5章 TiO_2/VO_2复合薄膜的制备及性能研究 | 第118-139页 |
| 5.1 引言 | 第118-119页 |
| 5.2 TiO_2缓冲层的合成工艺探究及表征 | 第119-130页 |
| 5.2.1 m-Al_2O_3基底诱导TiO_2薄膜以及VO_2的溅射制备工艺研究 | 第119页 |
| 5.2.2 退火温度对m-Al_2O_3基底诱导TiO_2薄膜成分及微观结构的影响 | 第119-120页 |
| 5.2.3 m-Al_2O_3/TiO_2基底热处理对VO_2薄膜结构及电学性能的影响 | 第120-122页 |
| 5.2.4 TiO_2缓冲层厚度对TO_2/VO_2复合薄膜电学性能的影响 | 第122-125页 |
| 5.2.5 VO_2薄膜厚度对TO_2/VO_2复合薄膜结构和电学性能的影响 | 第125-130页 |
| 5.3 不同结构VO_2薄膜激光的损伤行为及其损伤机理研究 | 第130-134页 |
| 5.3.1 不同类型VO_2薄膜的基本性能表征 | 第131页 |
| 5.3.2 VO_2薄膜激光损伤测试实验装置和激光束斑面积确定 | 第131-132页 |
| 5.3.3 不同类型VO_2薄膜的准分子纳秒激光损伤行为研究 | 第132-133页 |
| 5.3.4 不同类型VO_2薄膜激光损伤机理初探 | 第133-134页 |
| 5.4 本章小结 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-139页 |
| 结论与展望 | 第139-143页 |
| 结论 | 第139-142页 |
| 创新点 | 第142页 |
| 展望 | 第142-143页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第143-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 作者简介 | 第147页 |
