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ZnO基半导体电致发光材料与器件的理论研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 引言第11-37页
    1.1 ZnO材料的基本性质及其在紫外激光器方面的优势第12-17页
        1.1.1 ZnO材料的基本性质第12-15页
        1.1.2 ZnO在紫外激光方面的优势第15-17页
    1.2 ZnO紫外激光器的研究进展和存在关键问题第17-22页
        1.2.1 ZnO紫外激光器的研究进展第17-21页
        1.2.2 实现ZnO紫外激光器的关键问题第21-22页
    1.3 ZnO p型掺杂的困难之处和研究进展第22-29页
        1.3.1 ZnO p型掺杂的困难之处第22-24页
        1.3.2 ZnO p型掺杂的研究进展第24-29页
    1.4 量子级联激光器的基本原理与短波量子级联激光器研究进展第29-36页
        1.4.1 量子级联激光器的基本原理第29-31页
        1.4.2 短波量子级联激光器的研究进展第31-36页
    1.5 本论文选题的依据和研究内容第36-37页
第2章 第一性原理和有限元法的基本理论第37-65页
    2.1 第一性原理基本理论第38-55页
        2.1.1 绝热近似(Adiabatic approximation)第38-39页
        2.1.2 Hatree-Fock近似第39-41页
        2.1.3 密度泛函法第41-47页
        2.1.4 求解HF、DFT方程第47-49页
        2.1.5 赝势平面波法第49-55页
    2.2 有限元法的基本理论第55-65页
        2.2.1 有限元法的基本原理第55-58页
        2.2.2 有限元法的具体流程第58页
        2.2.3 有限元方程的构建第58-62页
        2.2.4 有限元法网格的剖分第62-65页
第3章 探索提高p型掺杂效率的新策略第65-85页
    3.1 研究背景第65-73页
    3.2 计算结果第73-84页
    3.3 本章小结第84-85页
第4章ZnO/MgO基二维限制量子级联激光器的设计第85-99页
    4.0 探索:无须p型掺杂的ZnO基半导体激光器?第85页
    4.1 短波量子级联激光器难以实现的原因第85-89页
    4.2 计算结果第89-98页
    4.3 本章小结第98-99页
第5章 结论与展望第99-101页
    5.1 全文总结第99-100页
    5.2 研究展望第100-101页
参考文献第101-117页
在学期间学术成果情况第117-119页
指导教师及作者简介第119-121页
致谢第121-122页

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