摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 引言 | 第11-37页 |
1.1 ZnO材料的基本性质及其在紫外激光器方面的优势 | 第12-17页 |
1.1.1 ZnO材料的基本性质 | 第12-15页 |
1.1.2 ZnO在紫外激光方面的优势 | 第15-17页 |
1.2 ZnO紫外激光器的研究进展和存在关键问题 | 第17-22页 |
1.2.1 ZnO紫外激光器的研究进展 | 第17-21页 |
1.2.2 实现ZnO紫外激光器的关键问题 | 第21-22页 |
1.3 ZnO p型掺杂的困难之处和研究进展 | 第22-29页 |
1.3.1 ZnO p型掺杂的困难之处 | 第22-24页 |
1.3.2 ZnO p型掺杂的研究进展 | 第24-29页 |
1.4 量子级联激光器的基本原理与短波量子级联激光器研究进展 | 第29-36页 |
1.4.1 量子级联激光器的基本原理 | 第29-31页 |
1.4.2 短波量子级联激光器的研究进展 | 第31-36页 |
1.5 本论文选题的依据和研究内容 | 第36-37页 |
第2章 第一性原理和有限元法的基本理论 | 第37-65页 |
2.1 第一性原理基本理论 | 第38-55页 |
2.1.1 绝热近似(Adiabatic approximation) | 第38-39页 |
2.1.2 Hatree-Fock近似 | 第39-41页 |
2.1.3 密度泛函法 | 第41-47页 |
2.1.4 求解HF、DFT方程 | 第47-49页 |
2.1.5 赝势平面波法 | 第49-55页 |
2.2 有限元法的基本理论 | 第55-65页 |
2.2.1 有限元法的基本原理 | 第55-58页 |
2.2.2 有限元法的具体流程 | 第58页 |
2.2.3 有限元方程的构建 | 第58-62页 |
2.2.4 有限元法网格的剖分 | 第62-65页 |
第3章 探索提高p型掺杂效率的新策略 | 第65-85页 |
3.1 研究背景 | 第65-73页 |
3.2 计算结果 | 第73-84页 |
3.3 本章小结 | 第84-85页 |
第4章ZnO/MgO基二维限制量子级联激光器的设计 | 第85-99页 |
4.0 探索:无须p型掺杂的ZnO基半导体激光器? | 第85页 |
4.1 短波量子级联激光器难以实现的原因 | 第85-89页 |
4.2 计算结果 | 第89-98页 |
4.3 本章小结 | 第98-99页 |
第5章 结论与展望 | 第99-101页 |
5.1 全文总结 | 第99-100页 |
5.2 研究展望 | 第100-101页 |
参考文献 | 第101-117页 |
在学期间学术成果情况 | 第117-119页 |
指导教师及作者简介 | 第119-121页 |
致谢 | 第121-122页 |