| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 发光二级管简介 | 第8-9页 |
| 1.1.1 发光二级管简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 LED的发展历程 | 第9页 |
| 1.2 GaN材料简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 GaN材料简介 | 第10页 |
| 1.2.2 GaN材料的性能改善 | 第10-11页 |
| 1.3 激光辐照改性的方法 | 第11-17页 |
| 1.3.1 激光与物质相互作用简介 | 第11-12页 |
| 1.3.2 准分子激光辐照改性 | 第12-13页 |
| 1.3.3 准分子激光辐照改性研究现状 | 第13-17页 |
| 1.4 研究课题的提出与主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 准分子激光辐照GaN外延片实验基础 | 第20-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第20页 |
| 2.2 准分子激光辐照系统 | 第20-21页 |
| 2.3 材料性能表征 | 第21-28页 |
| 2.3.1 光致发光谱 | 第21-22页 |
| 2.3.2 阴极射线谱 | 第22-23页 |
| 2.3.3 扫描电镜和EDS能谱 | 第23页 |
| 2.3.4 X射线光电子谱 | 第23-24页 |
| 2.3.5 二次离子质谱 | 第24页 |
| 2.3.6 霍尔效应测试 | 第24-25页 |
| 2.3.7 与金属的欧姆接触测试 | 第25-26页 |
| 2.3.8 LED发光性能测试 | 第26-28页 |
| 第3章 准分子激光辐照GaN外延片改善其光学和电学性质研究 | 第28-46页 |
| 3.1 激光辐照改性试验 | 第28-29页 |
| 3.2 光致发光谱 | 第29-33页 |
| 3.3 阴极射线发光谱 | 第33-35页 |
| 3.4 SEM和EDS谱 | 第35-38页 |
| 3.5 SIMS | 第38-39页 |
| 3.6 XPS谱 | 第39-40页 |
| 3.7 霍尔效应测试 | 第40-43页 |
| 3.8 机理分析 | 第43-44页 |
| 3.8.1 准分子激光辐照作用对Mg受主的激活 | 第43页 |
| 3.8.2 从化学反应的角度解释准分子激光辐照作用对材料的影响 | 第43-44页 |
| 3.9 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 准分子激光辐照改善LED器件发光性能研究 | 第46-56页 |
| 4.1 欧姆接触 | 第46-49页 |
| 4.2 LED器件发光性能 | 第49-52页 |
| 4.3 准分子激光辐照改善金属与半导体的欧姆接触的机理分析 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文及申请的专利 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
