| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 材料表面超精密加工 | 第12-16页 |
| 1.2.1 超精密切削技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 超精密磨削技术 | 第13-14页 |
| 1.2.3 超精密抛光技术 | 第14-15页 |
| 1.2.4 金刚石在超精密加工中的应用 | 第15-16页 |
| 1.3 单晶硅片超精密加工过程中的损伤 | 第16-20页 |
| 1.4 材料表面损伤检测方法 | 第20-24页 |
| 1.4.1 激光散射法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第21-22页 |
| 1.4.3 透射电镜(TEM)分析法 | 第22-23页 |
| 1.4.4 显微拉曼光谱分析 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的研究意义及内容 | 第24-27页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第24-25页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 实验设备及方法 | 第27-37页 |
| 2.1 实验材料 | 第27-28页 |
| 2.2 实验设备 | 第28-32页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第28-30页 |
| 2.2.2 多点接触微纳加工设备 | 第30-31页 |
| 2.2.3 其他设备 | 第31-32页 |
| 2.3 实验样品的制作 | 第32-34页 |
| 2.3.1 TEM样品制作 | 第32-33页 |
| 2.3.2 大面积线状阵列加工 | 第33-34页 |
| 2.4 表征及测量方法 | 第34-37页 |
| 2.4.1 表面形貌表征 | 第34-35页 |
| 2.4.2 微观结构表征 | 第35-37页 |
| 第3章 HF溶液对单晶硅亚表面非晶层的选择性刻蚀 | 第37-41页 |
| 3.1 划痕沟槽深度随刻蚀时间变化规律 | 第37-38页 |
| 3.2 刻蚀前后高分辨TEM观测 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 基于HF溶液选择性刻蚀的单晶硅亚表面非晶硅密度测量 | 第41-48页 |
| 4.1 测量原理及方法 | 第41-45页 |
| 4.1.1 亚表面非晶硅质量的测量 | 第41-43页 |
| 4.1.2 亚表面非晶硅体积的测量 | 第43-44页 |
| 4.1.3 实验基本操作过程 | 第44-45页 |
| 4.2 非晶硅密度测量实例 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 载荷与速度对非晶层厚度的影响 | 第48-55页 |
| 5.1 载荷比的确定 | 第48-49页 |
| 5.2 载荷和速度对单晶硅亚表面划痕损伤的影响 | 第49-54页 |
| 5.2.1 低载荷比下(载荷比η=0.39)单晶硅表面的划痕损伤 | 第49-51页 |
| 5.2.2 中等载荷比下(载荷比η=1.09、1.82)单晶硅表面的划痕损伤 | 第51-53页 |
| 5.2.3 高载荷比下(载荷比η=12.5)单晶硅表面的划痕损伤 | 第53-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第63页 |
