| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 ZnS材料的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 ZnS的p型掺杂及光学性质研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2 理论依据及计算方法 | 第11-15页 |
| 1.2.1 第一性原理计算方法 | 第11-13页 |
| 1.2.2 密度泛函理论 | 第13-15页 |
| 1.3 本文研究内容及创新点 | 第15-16页 |
| 1.3.1 研究内容及其意义 | 第15页 |
| 1.3.2 主要创新点 | 第15-16页 |
| 第2章 模型构建及本征ZnS的第一性原理计算 | 第16-19页 |
| 2.1 超晶胞构建 | 第16页 |
| 2.2 计算方法 | 第16页 |
| 2.3 本征ZnS的第一性原理计算的可靠性分析 | 第16-19页 |
| 第3章 单掺杂p型ZnS的第一性原理计算 | 第19-25页 |
| 3.1 N掺杂ZnS体系 | 第19-20页 |
| 3.1.1 ZnS(N)体系的电子结构分析 | 第19-20页 |
| 3.1.2 ZnS(N)体系的电荷密度分析 | 第20页 |
| 3.2 P掺杂ZnS体系 | 第20-22页 |
| 3.2.1 ZnS(P)体系的电子结构分析 | 第20-21页 |
| 3.2.2 ZnS(P)体系的电荷密度分析 | 第21-22页 |
| 3.3 As掺杂ZnS体系 | 第22-23页 |
| 3.3.1 ZnS(As)体系的电子结构分析 | 第22-23页 |
| 3.3.2 ZnS(As)体系的电荷密度分析 | 第23页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第23-25页 |
| 第4章 共掺杂p型ZnS的第一性原理计算 | 第25-42页 |
| 4.1 Cu/N共掺杂ZnS体系 | 第25-29页 |
| 4.1.1 ZnS(Cu,N)体系的电子结构分析 | 第25-28页 |
| 4.1.2 ZnS(Cu,N)体系的电荷密度分析 | 第28-29页 |
| 4.1.3 ZnS(Cu,N)体系的光学性质 | 第29页 |
| 4.2 Cu/P共掺杂ZnS体系 | 第29-34页 |
| 4.2.1 ZnS(Cu,P)体系的电子结构分析 | 第29-33页 |
| 4.2.2 ZnS(Cu,P)体系的电荷密度分析 | 第33页 |
| 4.2.3 ZnS(Cu,P)体系的光学性质 | 第33-34页 |
| 4.3 Cu/As共掺杂ZnS体系 | 第34-40页 |
| 4.3.1 ZnS(Cu,As)体系的电子结构分析 | 第34-38页 |
| 4.3.2 ZnS(Cu,As)体系的电荷密度分析 | 第38-39页 |
| 4.3.3 ZnS(Cu,As)体系的光学性质 | 第39-40页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第40-42页 |
| 总结及展望 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第49页 |