| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 微机电系统中的纳米摩擦学问题 | 第13-22页 |
| 1.2.1 微机电系统概述 | 第13页 |
| 1.2.2 微机电系统的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 微机电系统中的黏着及摩擦问题 | 第14-18页 |
| 1.2.4 微机电系统中的抗黏减摩设计 | 第18-22页 |
| 1.3 单晶硅材料的表面改性 | 第22-23页 |
| 1.3.1 单晶硅概述 | 第22页 |
| 1.3.2 单晶硅表面改性及方法 | 第22-23页 |
| 1.4 单晶硅表面氢钝化的应用及研究进展 | 第23-25页 |
| 1.4.1 单晶硅表面氢钝化 | 第23页 |
| 1.4.2 单晶硅表面氢钝化的应用 | 第23-24页 |
| 1.4.3 单晶硅表面氢钝化的研究进展 | 第24-25页 |
| 1.5 课题研究意义及研究内容 | 第25-29页 |
| 1.5.1 课题研究意义 | 第25-26页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 实验材料和研究方法 | 第29-37页 |
| 2.1 实验材料 | 第29-31页 |
| 2.1.1 实验样品 | 第29-30页 |
| 2.1.2 刻蚀溶液 | 第30页 |
| 2.1.3 加工探针 | 第30页 |
| 2.1.4 表征探针 | 第30-31页 |
| 2.2 实验设备 | 第31-34页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第31-32页 |
| 2.2.2 接触角视频测量仪 | 第32-33页 |
| 2.2.3 X-射线光电子能谱仪 | 第33-34页 |
| 2.3 实验方法 | 第34-37页 |
| 2.3.1 样品制作 | 第34页 |
| 2.3.2 黏着力测量 | 第34-35页 |
| 2.3.3 摩擦力测量 | 第35-37页 |
| 第三章 单晶硅表面氢钝化的时效性分析 | 第37-45页 |
| 3.1 表面接触角随放置时间的变化规律探究 | 第37-40页 |
| 3.2 表面化学成分随放置时间的变化规律探究 | 第40-43页 |
| 3.2.1 不同放置环境下XPS全谱分析 | 第40-41页 |
| 3.2.2 不同放置环境下Si2p单谱分析 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 单晶硅表面氢钝化时效性对其摩擦学性能的影响探究 | 第45-52页 |
| 4.1 氢钝化时效性对黏着力的影响探究 | 第45-49页 |
| 4.1.1 氢钝化时效性对黏着力的影响规律 | 第45-47页 |
| 4.1.2 氢钝化时效性对黏着力的影响机制 | 第47-49页 |
| 4.2 氢钝化时效性对摩擦力的影响规律探究 | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 基于硅表面氧化层的小线宽纳米结构加工 | 第52-65页 |
| 5.1 单晶硅表面氧化层掩膜能力探究 | 第52-54页 |
| 5.2 探针曲率半径对纳米沟槽线宽的影响 | 第54-56页 |
| 5.3 加工参数对纳米加工结果的影响 | 第56-61页 |
| 5.3.1 刻划载荷对单晶硅表面纳米加工的影响 | 第56-59页 |
| 5.3.2 刻划次数对单晶硅表面纳米加工的影响 | 第59-61页 |
| 5.4 加工机理探究 | 第61-64页 |
| 5.4.1 Si_3N_4探针摩擦诱导刻划机理 | 第62-63页 |
| 5.4.2 KOH溶液对单晶硅表面氧化层的选择性刻蚀机理 | 第63-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第72页 |