| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-20页 |
| §1.1 集成电路可靠性介绍 | 第9-15页 |
| §1.1.1 可靠性基本概念 | 第9-10页 |
| §1.1.2 浴盆曲线 | 第10-11页 |
| §1.1.3 统计分布函数 | 第11-14页 |
| §1.1.4 加速实验及寿命预测 | 第14-15页 |
| §1.2 纳米CMOS器件中的主要可靠性问题 | 第15-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第二章 热载流子效应的物理机制与模型 | 第20-33页 |
| §2.1 热载流子效应介绍 | 第20页 |
| §2.2 热载流子效应的物理机制 | 第20-29页 |
| §2.2.1 热载流子效应中的沟道电场 | 第21-23页 |
| §2.2.2 热载流子效应中的能量分布函数 | 第23-25页 |
| §2.2.3 沟道热载流子注入方法 | 第25-27页 |
| §2.2.4 热载流子损伤机制 | 第27-29页 |
| §2.3 热载流子效应的退化模型 | 第29-32页 |
| §2.3.1 幸运载流子模型 | 第29-30页 |
| §2.3.2 电子有效温度模型 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 纳米CMOS器件热载流子效应的测量 | 第33-38页 |
| §3.1 实验仪器 | 第33页 |
| §3.2 测试流程 | 第33-37页 |
| §3.2.1 应力偏压条件的确定 | 第34-35页 |
| §3.2.2 应力施加 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 热载流子效应对器件特性的影响 | 第38-46页 |
| §4.1 对I_d-V_d特性的影响 | 第38-40页 |
| §4.2 对I_d-V_g特性的影响 | 第40-42页 |
| §4.3 对衬底电流I_b,源极电流I_s的影响 | 第42-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第五章 Scaling down对HCI最严重应力条件的影响 | 第46-52页 |
| §5.1 nMOS器件的最严重电压应力条件 | 第46-48页 |
| §5.2 pMOS器件的最严重电压应力条件 | 第48-49页 |
| §5.3 Scaling down对HCI最严重温度条件的影响 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第六章 45nm CMOS器件的多参数HCI寿命预测模型 | 第52-61页 |
| §6.1 幸运载流子寿命预测模型的寿命预测 | 第52-55页 |
| §6.2 多参数的热载流子注入寿命预测模型 | 第55-60页 |
| §6.2.1 电压加速因子 | 第56-57页 |
| §6.2.2 器件栅长幂指数 | 第57-58页 |
| §6.2.3 温度激发能 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第七章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 硕士期间发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
