| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| Contents | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| ·选题背景和意义 | 第12-17页 |
| ·超深亚微米器件带来的可靠性问题 | 第12-15页 |
| ·Si/SiO_2界面电荷分布特性的研究意义 | 第15-17页 |
| ·国内外研究现状及进展 | 第17-19页 |
| ·本课题的来源、研究重点及章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 电荷泵技术在CMOS中运用研究 | 第21-35页 |
| ·电荷泵技术原理 | 第21-22页 |
| ·通过电荷泵技术提取栅氧化层电荷分布 | 第22-26页 |
| ·测量Si/SiO_2界面态和氧化层陷阱电荷的平均密度 | 第23页 |
| ·测量Si/SiO_2界面态密度和氧化层陷阱电荷的空间分布 | 第23-25页 |
| ·测量Si/SiO_2界面态的能量分布 | 第25页 |
| ·测量高K栅MOSFET的体陷阱的深度分布 | 第25-26页 |
| ·改进的电荷泵技术 | 第26-30页 |
| ·扣除漏电流影响的改进电荷泵方法 | 第26-28页 |
| ·优化恒定基准电压电荷泵方法 | 第28-29页 |
| ·三端电荷泵技术 | 第29-30页 |
| ·电荷泵测量技术研究 | 第30-34页 |
| ·实验样品准备 | 第30页 |
| ·实验数据处理和结果分析 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 热载流子注入效应对栅氧化层电荷分布的影响 | 第35-63页 |
| ·热载流子效应 | 第35页 |
| ·热载流子注入机制 | 第35-36页 |
| ·沟道热电子注入 | 第35-36页 |
| ·漏端雪崩热载流子注入 | 第36页 |
| ·热载流子效应的表征方法 | 第36-37页 |
| ·基于电荷泵技术的热载流子效应研究 | 第37-61页 |
| ·实验样品 | 第37页 |
| ·热载流子效应的电压应力设置 | 第37-41页 |
| ·实验程序设置 | 第41页 |
| ·实验数据分析 | 第41-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 基于MEDICI的热载流子效应研究 | 第63-74页 |
| ·MEDICI简介 | 第63-65页 |
| ·选择MEDICI的物理模型 | 第63-65页 |
| ·深亚微米NMOSFET器件结构 | 第65-66页 |
| ·热载流子退化的Si-H断裂模型 | 第66-67页 |
| ·数据处理及结果分析 | 第67-73页 |
| ·栅氧化层厚度对热载流子效应的影响 | 第67-69页 |
| ·沟道长度对热载流子效应的影响 | 第69-70页 |
| ·热载流子效应对电参数的影响研究 | 第70-72页 |
| ·饱和漏电流退化与界面态产生的关系 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |