| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·场效应晶体管的发展现状 | 第10-11页 |
| ·场效应晶体管的结构、原理、基本参数和特性参数 | 第11-17页 |
| ·场效应晶体管的基本结构 | 第11-13页 |
| ·场效应晶体管的工作原理 | 第13-14页 |
| ·场效应晶体管的基本参数 | 第14-15页 |
| ·场效应晶体管的特征曲线 | 第15-17页 |
| ·场效应晶体管研究现状 | 第17页 |
| ·本论文的主要工作内容 | 第17-19页 |
| 第二章 自由基引发剂（AIBN）对 P3HT 场效应晶体管性能的影响 | 第19-29页 |
| ·引言 | 第19-21页 |
| ·P3HT 的简介 | 第19页 |
| ·自由基引发剂（AIBN）的简介 | 第19-20页 |
| ·AIBN 对 P3HT 的交联作用形成超颖半导体材料 | 第20-21页 |
| ·实验部分 | 第21-23页 |
| ·实验原料与药品 | 第21页 |
| ·分析仪器及测试设备 | 第21-23页 |
| ·场效应晶体管的制备 | 第23页 |
| ·结果分析 | 第23-28页 |
| ·P3HT 中未加入和加入 AIBN 的原子力显微镜分析 | 第23-25页 |
| ·P3HT 中未加入和加入 AIBN 的场效应晶体管的器件性能研究 | 第25-28页 |
| ·本章小节 | 第28-29页 |
| 第三章 单壁碳纳米管的分离以及在场效应晶体管中的应用 | 第29-35页 |
| ·单壁碳纳米管的简介 | 第29-30页 |
| ·实验部分 | 第30-32页 |
| ·原料与药品 | 第30页 |
| ·单壁碳纳米管的分离 | 第30-31页 |
| ·基于半导体型单壁碳纳米管场效应晶体管的制备 | 第31-32页 |
| ·结果分析 | 第32-34页 |
| ·半导体型单壁碳纳米管的拉曼光谱图分析 | 第32页 |
| ·基于半导体型单壁碳纳米管场效应晶体管的器件性能研究 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 硫化钼的剥离以及在场效应器件中的应用 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-40页 |
| ·原料药品及仪器 | 第36页 |
| ·单层硫化钼的剥离 | 第36-39页 |
| ·单层硫化钼作为有源层在场效应器件中的制备 | 第39-40页 |
| ·结果分析 | 第40-44页 |
| ·单层硫化钼 SEM 图像分析 | 第40-41页 |
| ·单层硫化钼 XRD 图像分析 | 第41-42页 |
| ·单层硫化钼 TEM 图像分析 | 第42-43页 |
| ·基于单层硫化钼场效应晶体管的器件性能研究 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第45-47页 |
| ·全文总结 | 第45-46页 |
| ·展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
