| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-37页 |
| ·III-V族化合物半导体器件的发展 | 第20-25页 |
| ·场效应晶体管建模概述 | 第25-28页 |
| ·FET 经验模型及其发展 | 第28-32页 |
| ·模型在CAD 工具中的应用 | 第32-34页 |
| ·本文的主要研究内容及贡献 | 第34-35页 |
| ·论文结构及内容安排 | 第35-37页 |
| 第二章 场效应晶体管大信号模型导论 | 第37-57页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·FET 基本工作理论 | 第38-39页 |
| ·电气测量技术 | 第39-44页 |
| ·FET 小信号建模方法 | 第44-54页 |
| ·经典的FET 小信号等效电路模型 | 第45-48页 |
| ·针对GaN HEMT 的改进模型 | 第48-54页 |
| ·小信号到大信号模型的过渡 | 第54-56页 |
| ·本章总结 | 第56-57页 |
| 第三章 改进的大信号模型公式及其参数提取 | 第57-89页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·经典的FET 大信号模型回顾 | 第58-64页 |
| ·改进的FET 大信号电流-电压模型 | 第64-78页 |
| ·Angelov I-V模型的局限性 | 第64-66页 |
| ·针对Angelov模型的改进 | 第66-68页 |
| ·结合Curtice 和Angelov模型的改进 | 第68-73页 |
| ·结合EEHEMT1和Angelov模型的改进 | 第73-78页 |
| ·改进的FET 大信号电量-电压模型 | 第78-84页 |
| ·基于EEHEMT1电量模型的改进 | 第79-80页 |
| ·基于Angelov和EEHEMT1电量模型的改进 | 第80-84页 |
| ·大信号模型中的其它考虑 | 第84-87页 |
| ·本章总结 | 第87-89页 |
| 第四章 热特性和电特性的分析与建模 | 第89-100页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·FET 热特性分析 | 第89-91页 |
| ·FET 电特性分析 | 第91-96页 |
| ·FET 频率特性的建模 | 第92-94页 |
| ·模型参数定义和提取流程 | 第94-96页 |
| ·完整的III-V族FET大信号模型 | 第96-99页 |
| ·本章总结 | 第99-100页 |
| 第五章 完整FET 大信号等效电路模型的验证 | 第100-129页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·用于模型验证的III-V族FET | 第101-104页 |
| ·寄生参数的提取 | 第104-107页 |
| ·FET 大信号模型的建立 | 第107-118页 |
| ·漏极电流模型的建立 | 第107-114页 |
| ·栅极电量模型的建立 | 第114-118页 |
| ·FET 大信号模型的仿真和验证 | 第118-127页 |
| ·模型的不确定性和误差来源 | 第127页 |
| ·本章总结 | 第127-129页 |
| 第六章 特定大信号电路应用下的FET模型 | 第129-172页 |
| ·引言 | 第129-130页 |
| ·适合于交叉调制分析的FET 模型 | 第130-146页 |
| ·交叉调制分析对模型的要求 | 第130-131页 |
| ·模型的建立和参数提取 | 第131-140页 |
| ·模型验证 | 第140-146页 |
| ·开关类微波功率放大器的设计 | 第146-170页 |
| ·新型开关类功放的理论 | 第146-151页 |
| ·适合于开关功放设计的FET 模型 | 第151-155页 |
| ·实际开关类功放的设计、仿真和验证 | 第155-170页 |
| ·本章总结 | 第170-172页 |
| 第七章全文总结 | 第172-176页 |
| ·本文贡献 | 第172-174页 |
| ·下一步工作的建议和未来研究方向 | 第174-176页 |
| 致谢 | 第176-177页 |
| 参考文献 | 第177-186页 |
| 附录 | 第186-195页 |
| 作者攻博期间取得的成果 | 第195-197页 |