| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 CMOS可靠性及研究背景 | 第9-16页 |
| §1.1 经时击穿(TDDB) | 第10-11页 |
| §1.2 应力诱生漏电流(SILC) | 第11页 |
| §1.3 热载流子注入效应(HCI) | 第11-12页 |
| §1.4 负偏压温度不稳定性(NBTI) | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 NBTI的物理模型 | 第16-29页 |
| §2.1 界面态相关的模型 | 第16-22页 |
| §2.1.1 反应扩散模型(RD model) | 第16-19页 |
| §2.1.2 反应扩散离散模型(RDD model) | 第19-20页 |
| §2.1.3 界面态模型的问题 | 第20-22页 |
| §2.2 空穴俘获模型 | 第22-25页 |
| §2.2.1 弹性空穴俘获模型 | 第23-24页 |
| §2.2.2 场辅助晶格弛豫多声子发射模型(field-assisted LRME model) | 第24-25页 |
| §2.3 混合模型 | 第25-27页 |
| §2.3.1 两步模型(Two-stage model) | 第26-27页 |
| §2.3.2 两种独立成分模型(Two independent components model) | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 NBTI测量方法 | 第29-37页 |
| §3.1 阈值电压退化的测量方法 | 第29-32页 |
| §3.1.1 线性外推法 | 第29-30页 |
| §3.1.2 On-the-fly和Delay-I_d快速测量法 | 第30-32页 |
| §3.2 电荷泵测量方法(CP) | 第32-34页 |
| §3.3 电容电压测量方法(CV) | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第四章 低温方法直接观测空穴俘获过程 | 第37-46页 |
| §4.1 低温方法直接观察空穴俘获过程 | 第37-40页 |
| §4.2 低温空穴俘获过程的物理机制 | 第40-44页 |
| §4.2.1 SiO_2栅介质PMOSFET中的空穴俘获机制 | 第40-43页 |
| §4.2.2 氮的掺入对空穴俘获的影响 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第五章 产生空穴陷阱的能级分布 | 第46-54页 |
| §5.1 能级分布测量方法 | 第46-48页 |
| §5.2 产生空穴陷阱的能级分布 | 第48-52页 |
| §5.2.1 SiO_2栅介质器件中的空穴陷阱能级分布 | 第48-50页 |
| §5.2.2 氮掺入对空穴陷阱能级分布的影响 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-56页 |
| 硕士期间学术成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
