| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·研究背景及意义 | 第11-12页 |
| ·功率MOSFET的国内外研究现状 | 第12-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 功率MOSFET的工作原理和重要参数 | 第19-30页 |
| ·功率MOSFET的工作原理 | 第19-20页 |
| ·功率MOSFET的重要参数 | 第20-29页 |
| ·阈值电压(V_(TH)) | 第20-21页 |
| ·导通电阻(R_(ds(on))) | 第21-24页 |
| ·击穿电压(BV) | 第24-27页 |
| ·电容特性 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 功率MOSFET的结构优化设计和仿真 | 第30-44页 |
| ·功率MOSFET基本参数的仿真电路与条件 | 第30-33页 |
| ·阈值电压 | 第30-31页 |
| ·导通电阻 | 第31页 |
| ·击穿电压 | 第31-32页 |
| ·电容特性 | 第32页 |
| ·栅电荷 | 第32-33页 |
| ·功率MOSFET结构和工艺设计 | 第33-38页 |
| ·结构纵向参数设计 | 第33-35页 |
| ·单位元胞的设计 | 第35-37页 |
| ·工艺设计 | 第37-38页 |
| ·基于最优导通电阻的UMOSFET结构参数优化设计 | 第38-43页 |
| ·沟槽宽度(W_T)对导通电阻的影响 | 第39-41页 |
| ·沟槽间距宽度(W_M)对导通电阻的影响 | 第41-42页 |
| ·沟槽深度(t_T)对导通电阻的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 特性改善的功率MOSFET的设计与仿真 | 第44-59页 |
| ·体区优化的UMOSFET的特性研究 | 第44-51页 |
| ·逆向体区掺杂的UMOSFET | 第46-48页 |
| ·均一体区掺杂的UMOSFET | 第48-51页 |
| ·二次外延的功率MOSFET的特性研究 | 第51-58页 |
| ·二次外延结构的耐压模型 | 第51-53页 |
| ·二次外延结构的功率MOSFET特性模拟与分析 | 第53-56页 |
| ·二次外延结构的其他应用 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论与未来的工作 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第66页 |