| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·薄膜晶体管工作原理及简介 | 第11-16页 |
| ·薄膜晶体管的应用 | 第16-18页 |
| ·TFT在LCD中的应用 | 第16-17页 |
| ·TFT在AMOLED中的应用 | 第17-18页 |
| ·应用于AMOLED显示的TFT器件 | 第18-26页 |
| ·非晶硅TFT | 第18-19页 |
| ·多晶硅TFT | 第19页 |
| ·氧化物TFT | 第19-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-27页 |
| 2 TFT阵列制造和分析表征技术 | 第27-39页 |
| ·磁控溅射技术 | 第27-29页 |
| ·磁控溅射技术的发展 | 第27页 |
| ·磁控溅射技术原理 | 第27-29页 |
| ·磁控溅射技术的特点 | 第29页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术 | 第29-32页 |
| ·PECVD沉积技术的原理和特点 | 第29-31页 |
| ·PECVD沉积氧化硅和氮化硅 | 第31-32页 |
| ·工程测试和表征技术 | 第32-36页 |
| ·电阻率(方块电阻Rs)测量 | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| ·台阶覆盖 | 第34页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| ·X射线光电能谱仪 | 第35-36页 |
| ·器件性能表征 | 第36-39页 |
| 3 基于SiO_2绝缘层的IGZO-TFT的制备 | 第39-57页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·IGZO-TFT制造工艺流程 | 第39-48页 |
| ·清洗技术 | 第39-40页 |
| ·溅射成膜 | 第40-42页 |
| ·PECVD沉积 | 第42-43页 |
| ·涂胶/曝光/显影技术 | 第43-45页 |
| ·湿刻(Wet Etch) | 第45-46页 |
| ·干刻(Dry Etch) | 第46页 |
| ·光刻胶剥离技术 | 第46-47页 |
| ·退火技术 | 第47-48页 |
| ·IGZO薄膜制备条件的研究 | 第48-55页 |
| ·氧含量对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第48-50页 |
| ·薄膜厚度对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第50-51页 |
| ·靶材溅射功率对IGZO成膜状态的影响 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 4 SiO_2表面等离子修饰对IGZO-TFT性能的影响研究 | 第57-67页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·器件制备 | 第57-60页 |
| ·SiO_2表面plasma修饰 | 第57-60页 |
| ·器件制备流程 | 第60页 |
| ·器件性能测试分析 | 第60-62页 |
| ·结果讨论 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 5 退火对IGZO-TFT性能的影响研究 | 第67-75页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·器件制备 | 第67-68页 |
| ·IGZO-TFT电学性能测试 | 第68-72页 |
| ·结果讨论 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 6 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 作者简历 | 第79-83页 |
| 学位论文数据集 | 第83页 |