| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究背景和意义 | 第11页 |
| ·功率MOSFET研究现状 | 第11-15页 |
| ·功率MOSFET的发展现状 | 第11-14页 |
| ·边端技术的发展状况 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 功率MOSFET耐压原理 | 第17-29页 |
| ·击穿的基本原理 | 第17-18页 |
| ·雪崩击穿 | 第17-18页 |
| ·碰撞电离率和Fulop's功率定律 | 第18页 |
| ·关键场强 | 第18页 |
| ·PN结理论 | 第18-28页 |
| ·无限大平面结的击穿原理 | 第18-25页 |
| ·状面结的击穿原理 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 功率MOSFET简单结构的耐压特性仿真研究 | 第29-50页 |
| ·无限大平面结击穿特性的仿真研究 | 第29-32页 |
| ·柱状结的仿真研究 | 第32-36页 |
| ·单个场限环的仿真研究 | 第36-46页 |
| ·单个场限环宽度对击穿电压的影响 | 第36-38页 |
| ·场限环与主结间距对击穿电压的影响 | 第38-43页 |
| ·场限环结深对击穿电压的影响 | 第43-46页 |
| ·单场板的仿真研究 | 第46-49页 |
| ·场氧厚度对场板耐压特性的影响 | 第46-48页 |
| ·场板长度对击穿电压的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 场限环-场板联合边端结构的研究 | 第50-67页 |
| ·终端结构的耐压原理 | 第50-58页 |
| ·场限环 | 第50-56页 |
| ·场板 | 第56-58页 |
| ·场限环-场板联合边端结构的耐压特性研究 | 第58-66页 |
| ·单场环-场板联合边端结构中场限环间距对击穿电压的影响 | 第58-60页 |
| ·主结场板长度对耐压特性的影响 | 第60-63页 |
| ·场限环场板长度对耐压特性的影响 | 第63-65页 |
| ·主结与场限环双场板结构对耐压特性的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 高压功率MOSFET的边端设计与研究 | 第67-75页 |
| ·设计方法概述 | 第67-68页 |
| ·500V纯场限环结构设计 | 第68-72页 |
| ·四场限环边端 | 第68-70页 |
| ·五场限环边端 | 第70-72页 |
| ·500V纯场限环结构的优化 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 结论与未来的工作 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第83页 |