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基于PSP模型的40nm MOS器件HCI可靠性模型研究

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·研究背景第9-10页
   ·国内外研究现状第10-11页
   ·本课题的意义和目标第11-13页
第二章 HCl效应的物理机制以及对器件可靠性影响研究第13-22页
   ·MOS器件HCl效应的物理机制第13-19页
     ·热载流子定义第13-14页
     ·热载流子效应第14-16页
     ·JEDEC标准中的热载流子寿命推算第16-19页
   ·电荷泵技术对热载流子效应的评估第19-22页
     ·测试原理和方法第20-22页
第三章 仿真器与模型的发展第22-33页
   ·SPICE仿真器第22-23页
   ·PSP模型的发展第23-31页
     ·PSP模型的建立第24-25页
     ·PSP模型的结构第25-26页
     ·几何缩放第26-28页
     ·PSP模型的修正第28-31页
   ·HCl可靠性模型的发展第31-33页
第四章 基于SPICE PSP的HCl可靠性模型研究第33-41页
   ·HCl效应的PSP模型模拟第33-37页
   ·可缩放HCl可靠性模型的提出第37-41页
     ·HCl效应对器件性能的影响第37页
     ·提出模型及相关因子分析第37-41页
第五章 可缩放HCl模型的实现第41-54页
   ·数据测试及模型提取第41-47页
     ·初始模型的数据测试与参数提取第41-45页
     ·HCl可靠性数据测试与模型提取流程第45-47页
   ·HCl可靠性模型中数学公式的嵌入第47-49页
   ·模型仿真结果第49-54页
结论和展望第54-55页
硕士期间发表学术论文第55-56页
参考文献第56-60页
致谢第60页

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