| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·Si基CMOS器件存在的问题及解决方案 | 第11-13页 |
| ·SOI技术的特点和优势 | 第13-16页 |
| ·应变Si技术的特点和发展 | 第16-18页 |
| ·应变Si/SiGe MOS器件的未来发展方向 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究工作和内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 超薄Si膜的热导率模型 | 第21-35页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·Si热导率的一般模型 | 第22-31页 |
| ·薄Si膜对SOI器件的影响分析 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 应变Si/Si_(1-x)Ge_x nMOSFET反型层中电子迁移率模型 | 第35-59页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·应力对电子迁移率增强的定性分析 | 第36-39页 |
| ·反型层中电子迁移率模型 | 第39-45页 |
| ·模型结果和讨论 | 第45-56页 |
| ·Si膜厚度对电子迁移率的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 双台阶式埋氧SGOI MOSFET的性能分析 | 第59-91页 |
| ·SGOI MOSFET的提出和面临的问题 | 第59-60页 |
| ·SGOI MOSFET阈值电压模型 | 第60-71页 |
| ·双台阶式埋氧SGOI MOSFET的性能 | 第71-85页 |
| ·Ground Plane技术在双台阶式埋氧SGOI MOSFET中的应用 | 第85-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第五章 SGSOAN MOSFET的性能分析 | 第91-109页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·AlN的制备技术 | 第92-93页 |
| ·SGSOAN MOSFET的结构提出和工艺实现 | 第93-95页 |
| ·SGSOAN MOSFET的性能分析 | 第95-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 结论与展望 | 第109-113页 |
| ·结论 | 第109-110页 |
| ·展望 | 第110-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-127页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第127-128页 |
