| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·MOSFET晶体管的发展及其面临的挑战 | 第11-13页 |
| ·提升纳米尺寸器件性能的解决方案 | 第13-15页 |
| ·栅 | 第13页 |
| ·沟道工程 | 第13-14页 |
| ·源漏工程 | 第14页 |
| ·新型MOSFET器件结构 | 第14-15页 |
| ·围栅MOSFET器件的发展现状 | 第15-18页 |
| ·围栅MOSFET器件工艺发展现状 | 第15-18页 |
| ·围栅MOSFET器件模型发展现状 | 第18页 |
| ·本文的主要研究工作和内容安排 | 第18-21页 |
| 第二章 围栅MOSFET器件的基础理论 | 第21-29页 |
| ·短沟道围栅MOSFET器件的阈值电压模型 | 第21-27页 |
| ·基于抛物线近似的求解方法 | 第21-24页 |
| ·基于泊松方程精确解的解析模型 | 第24-27页 |
| ·仿真工具 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 三异质围栅MOSFET器件研究 | 第29-51页 |
| ·三异质围栅MOSFET器件结构的提出 | 第29-32页 |
| ·三异质围栅MOSFET器件的解析模型 | 第32-46页 |
| ·静电势模型 | 第32-36页 |
| ·阈值电压模型 | 第36-38页 |
| ·亚阈值电流模型 | 第38-39页 |
| ·结果和分析 | 第39-46页 |
| ·参数优化设计 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 非对称HALO掺杂GOLD围栅MOSFET器件研究 | 第51-75页 |
| ·非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET结构的提出 | 第51-54页 |
| ·栅交叠轻掺杂漏结构 | 第51-52页 |
| ·HALO结构 | 第52-53页 |
| ·缓变沟道 | 第53页 |
| ·非对称HALO掺杂GOLD围栅MOSFET结构 | 第53-54页 |
| ·非对称HALO掺杂GOLD围栅MOSFET的解析模型 | 第54-63页 |
| ·静电势模型 | 第54-57页 |
| ·阈值电压模型 | 第57-59页 |
| ·亚阈值电流模型 | 第59页 |
| ·结果与分析 | 第59-63页 |
| ·对称HALO掺杂围栅MOSFET的解析模型 | 第63-70页 |
| ·阈值电压的确定 | 第64-69页 |
| ·亚阈值电流模型 | 第69-70页 |
| ·分区域精确求解泊松方程的推广 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 电感应源漏扩展围栅MOSFET器件研究 | 第75-93页 |
| ·具有电感应源漏扩展的围栅MOSFET器件的提出 | 第75-77页 |
| ·电感应源漏围栅MOSFET器件的性能分析 | 第77-83页 |
| ·仿真参数的选择 | 第77-79页 |
| ·短沟道效应分析 | 第79-82页 |
| ·热载流子效应分析 | 第82-83页 |
| ·电感应源漏扩展围栅MOSFET的阈值电压模型 | 第83-91页 |
| ·静电势模型 | 第83-87页 |
| ·阈值电压模型 | 第87页 |
| ·结果和分析 | 第87-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第六章 高κ栅介质围栅MOSFET器件研究 | 第93-109页 |
| ·高κ栅介质对围栅MOSFET性能的影响 | 第93-95页 |
| ·高κ栅介质异质围栅MOSFET的解析模型 | 第95-106页 |
| ·静电势解析 | 第95-100页 |
| ·亚阈值电流模型 | 第100页 |
| ·阈值电压模型 | 第100-102页 |
| ·结果与分析 | 第102-106页 |
| ·本章小结 | 第106-109页 |
| 第七章 结论与展望 | 第109-113页 |
| 参考文献 | 第113-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第135-137页 |
