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基于并五苯和酞菁铜的有机效应管及其集成电路研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-11页
第一章 绪论第11-37页
   ·引言第11-12页
   ·有机场效应晶体管(OFETs)概述第12-17页
     ·OFETs的结构第13-15页
     ·OFETs的性能指标第15页
     ·OFETs的工作机理第15-17页
       ·有机半导体材料的电输运机制第15-17页
       ·OFETs的工作机理第17页
   ·应用于OFETs的材料第17-24页
     ·应用于OFETs的衬底材料第18页
     ·应用于OFETs的电极材料第18页
     ·应用于OFETs的有机半导体材料第18-22页
       ·P型有机半导体材料第19-21页
       ·N型有机半导体材料第21-22页
     ·应用于OFETs的介质层材料第22-23页
       ·无机介质层材料第22页
       ·有机介质层材料第22-23页
       ·有机无机复合介质层材料第23页
     ·应用于OFETs的保护层材料第23-24页
   ·OFETs的制备工艺第24-25页
   ·基于OFETs的集成电路第25-27页
     ·有机电路发展概况第25-26页
     ·基于OFETs的电路应用前景第26-27页
   ·选题意义及研究内容第27-29页
     ·选题意义第27页
     ·研究内容第27-29页
 参考文献第29-37页
第二章 低电压有机场效应晶体管第37-44页
   ·引言第37页
   ·基于SiO_2介质的低电压OFETs第37-42页
     ·基于Au源漏电极的OFETs第37-40页
     ·基于Cu源漏电极的OFETs第40-42页
   ·本章小结第42-43页
 参考文献第43-44页
第三章 有机场效应晶体管光致回滞效应第44-65页
   ·引言第44页
   ·基于SiO_2介质层的OFETs光致回滞特性第44-51页
     ·基于SiO_2介质层的OFETs制备第44-46页
     ·基于SiO_2介质层的OFETs的光致回滞特性第46-51页
       ·衬底温度为60℃时并五苯OFETs的光致回滞特性第46-47页
       ·衬底温度为40℃时并五苯OFETs的光致回滞特性第47-48页
       ·衬底温度为20℃时并五苯OFETs的光致回滞特性第48-51页
   ·基于OTS/SiO_2介质层的OFETs光致回滞特性第51-58页
     ·基于OTS/SiO_2介质层的OFETs制备第52页
     ·基于OTS/SiO_介质层的OFETs光致回滞特性第52-58页
       ·衬底温度为60℃时并五苯OFETs的光致回滞特性第52-54页
       ·衬底温度为40℃时并五苯OFETs的光致回滞特性第54-55页
       ·衬底温度为20℃时并五苯OFETs的光致回滞特性第55-58页
   ·OFETs光致回滞理论模型第58-62页
   ·本章小结第62-63页
 参考文献第63-65页
第四章 基于有机场效应晶体管的浮栅存储器第65-75页
   ·引言第65页
   ·金纳米晶浮栅型OFETs存储器制备第65-67页
   ·金纳米晶浮栅型OFETs存储器特性第67-72页
   ·本章小结第72-73页
 参考文献第73-75页
第五章 有机集成电路研究第75-100页
   ·引言第75-76页
   ·有机整流器第76-85页
     ·有机二极管第76-82页
       ·有机二极管制备第77-78页
       ·有机二极管性能第78-82页
     ·有机整流器集成第82-85页
   ·有机门电路第85-95页
     ·利用光刻方法制备顶接触OFETs第86-91页
     ·有机门电路制备第91-95页
       ·互补型电路制备第91-94页
         ·光刻方法制备第92-93页
         ·镂空的掩膜版制备第93-94页
       ·全P型电路制备第94-95页
   ·本章小结第95-97页
 参考文献第97-100页
第六章 总结与展望第100-102页
   ·论文工作总结第100-101页
   ·未来工作展望第101-102页
附录A 缩写词列表第102-105页
附录B 物理量符号列表第105-107页
在学期间研究成果第107-109页
致谢第109页

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