中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-37页 |
·引言 | 第11-12页 |
·有机场效应晶体管(OFETs)概述 | 第12-17页 |
·OFETs的结构 | 第13-15页 |
·OFETs的性能指标 | 第15页 |
·OFETs的工作机理 | 第15-17页 |
·有机半导体材料的电输运机制 | 第15-17页 |
·OFETs的工作机理 | 第17页 |
·应用于OFETs的材料 | 第17-24页 |
·应用于OFETs的衬底材料 | 第18页 |
·应用于OFETs的电极材料 | 第18页 |
·应用于OFETs的有机半导体材料 | 第18-22页 |
·P型有机半导体材料 | 第19-21页 |
·N型有机半导体材料 | 第21-22页 |
·应用于OFETs的介质层材料 | 第22-23页 |
·无机介质层材料 | 第22页 |
·有机介质层材料 | 第22-23页 |
·有机无机复合介质层材料 | 第23页 |
·应用于OFETs的保护层材料 | 第23-24页 |
·OFETs的制备工艺 | 第24-25页 |
·基于OFETs的集成电路 | 第25-27页 |
·有机电路发展概况 | 第25-26页 |
·基于OFETs的电路应用前景 | 第26-27页 |
·选题意义及研究内容 | 第27-29页 |
·选题意义 | 第27页 |
·研究内容 | 第27-29页 |
参考文献 | 第29-37页 |
第二章 低电压有机场效应晶体管 | 第37-44页 |
·引言 | 第37页 |
·基于SiO_2介质的低电压OFETs | 第37-42页 |
·基于Au源漏电极的OFETs | 第37-40页 |
·基于Cu源漏电极的OFETs | 第40-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-44页 |
第三章 有机场效应晶体管光致回滞效应 | 第44-65页 |
·引言 | 第44页 |
·基于SiO_2介质层的OFETs光致回滞特性 | 第44-51页 |
·基于SiO_2介质层的OFETs制备 | 第44-46页 |
·基于SiO_2介质层的OFETs的光致回滞特性 | 第46-51页 |
·衬底温度为60℃时并五苯OFETs的光致回滞特性 | 第46-47页 |
·衬底温度为40℃时并五苯OFETs的光致回滞特性 | 第47-48页 |
·衬底温度为20℃时并五苯OFETs的光致回滞特性 | 第48-51页 |
·基于OTS/SiO_2介质层的OFETs光致回滞特性 | 第51-58页 |
·基于OTS/SiO_2介质层的OFETs制备 | 第52页 |
·基于OTS/SiO_介质层的OFETs光致回滞特性 | 第52-58页 |
·衬底温度为60℃时并五苯OFETs的光致回滞特性 | 第52-54页 |
·衬底温度为40℃时并五苯OFETs的光致回滞特性 | 第54-55页 |
·衬底温度为20℃时并五苯OFETs的光致回滞特性 | 第55-58页 |
·OFETs光致回滞理论模型 | 第58-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-65页 |
第四章 基于有机场效应晶体管的浮栅存储器 | 第65-75页 |
·引言 | 第65页 |
·金纳米晶浮栅型OFETs存储器制备 | 第65-67页 |
·金纳米晶浮栅型OFETs存储器特性 | 第67-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-75页 |
第五章 有机集成电路研究 | 第75-100页 |
·引言 | 第75-76页 |
·有机整流器 | 第76-85页 |
·有机二极管 | 第76-82页 |
·有机二极管制备 | 第77-78页 |
·有机二极管性能 | 第78-82页 |
·有机整流器集成 | 第82-85页 |
·有机门电路 | 第85-95页 |
·利用光刻方法制备顶接触OFETs | 第86-91页 |
·有机门电路制备 | 第91-95页 |
·互补型电路制备 | 第91-94页 |
·光刻方法制备 | 第92-93页 |
·镂空的掩膜版制备 | 第93-94页 |
·全P型电路制备 | 第94-95页 |
·本章小结 | 第95-97页 |
参考文献 | 第97-100页 |
第六章 总结与展望 | 第100-102页 |
·论文工作总结 | 第100-101页 |
·未来工作展望 | 第101-102页 |
附录A 缩写词列表 | 第102-105页 |
附录B 物理量符号列表 | 第105-107页 |
在学期间研究成果 | 第107-109页 |
致谢 | 第109页 |