| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题的研究意义 | 第11-13页 |
| ·POWER MOSFET的发展背景 | 第13-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第16-17页 |
| 第2章 UMOS的重要参数概述 | 第17-26页 |
| ·UMOS工作原理及参数概述 | 第17-18页 |
| ·MOSFET的静态参数 | 第18-20页 |
| ·UMOSFET的动态参数 | 第20-25页 |
| ·UMOSFET的优值(FOM) | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 20V N-CHANNELUMOS的设计 | 第26-47页 |
| ·UMOS的仿真设计流程及工艺流程 | 第26-29页 |
| ·UMOS栅极沟槽深度的调节 | 第29-37页 |
| ·UMOS的导通电阻模型 | 第29-32页 |
| ·UMOS栅极沟槽深度的仿真分析 | 第32-37页 |
| ·沟槽式接触孔与UMOS性能的关系 | 第37-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 UMOS栅漏电容的优化 | 第47-59页 |
| ·UMOS栅漏电容的优化方式 | 第47-49页 |
| ·沟槽底部栅氧化层厚度对UMOS性能的影响 | 第49-56页 |
| ·20V N-CHANNEL UMOS栅漏电容的优化 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论与未来的工作 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |